Поступила в редакцию: 28 апреля 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.
Предложена модификация метода эффективной массы для случая внешнего потенциала, слабого в сравнении с кристаллическим, но резко меняющегося на расстояниях порядка постоянной решетки. На основе этого метода получено выражение для ненулевой спин-орбитальной добавки к энергии электронных подзон в квазидвумерных слоях. Найденная численная оценка коэффициента в соответствующем линейном члене закона дисперсии близка к экспериментальным значениям.
- Васько Ф.Т. Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 30. N 9. С. 574--577
- Бычков Ю.А., Рашба Э.И. Письма в ЖЭТФ. 1984. Т. 39. N 2. С. 66--69
- Васько Ф.Т., Прима Н.А. ФТТ. 1983. Т. 25. N 2. С. 582--584
- Бычков Ю.А., Рашба Э.И. УФН. 1985. Т. 146. N 3. С. 531--534
- Васько Ф.Т. ФТТ. 1985. Т. 19. N 11. С. 1958--1963
- Дьяконов М.И., Кочаровский В.Ю. ФТТ. 1986. Т. 20. N 1. С. 178--181
- Латтинджер Дж., Кон В. Сб. "Проблемы физики полупроводников" / Под ред. В.Л.Бонч-Бруевича. М.: ИЛ, 1957. С. 515--539
- Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978. С. 118
- Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. С. 584
- Романов Д.А. Всесоюзная школа по физике поверхности (Карпаты, 1986 г.). Черноголовка, 1986. С. 85
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.