Дефекты кремниевых структур
Гитович Е.А.1, Гусева Н.Б.1, Кузнецов В.А.1, Цаболова М.Ю.1, Шульпина И.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург Запорожский Титано-магниевый комбинат
Поступила в редакцию: 31 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.
Рентгеновскими дифракционными методами (топографии и рентгеноструктурного анализа) исследованы дефекты так называемых обращенных кремниевых эпитаксиальных структур. Показано, что наиболее опасными дефектами являются трипирамиды, возникающие на границе подложка-слой и прорастающие на всю толщину слоя. Трипирамиды окружены дислокациями, которые распространяются в подложку, играющую в структурах роль активного слоя, и оказывают неблагоприятное влияние на ее свойства. Образование трипирамид связывается с повреждением рабочей поверхности пластин твердыми частицами, которыми могут быть и частицы кремния.
- Салли И.В., Фалькевич Э.С. Управление формой роста кристаллов. Киев: Наукова думка, 1989. 157 с
- Ланг А.Р. Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. М.: Металлургия, 1984. С. 364--446
- Шульпина И.Л. Кристаллография. 1992. Т. 37. N 2. С. 451--457
- Чу Т.Л., Гавалер Дж.Р. Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. С. 269--279
- Букер Г.Р. Там же. С. 280--296, 297--322
- Мендельсон С. Там же. С. 322--350, 351--364
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук