Обсуждается механизм динамического отдыха в щелочно-галоидных кристаллах, кривые деформационного упрочнения которых содержат третью стадию упрочнения. При обработке литературных данных по температурным зависимостям напряжений tau₃ начала третьей стадии найдено, что в кристаллах NaCl, KCl и LiF в диапазоне температур (0.3-0.7)T_m (T_m - температура плавления) температурные зависимости как и в ГЦК металлах, описываются известным выражением ln(tau₃/tau₀)±(-kT/A)ln(gamma₀/gamma), где A=A(gamma_D) - энергетический параметр, связанный с образованием перегиба критического размера на винтовой дислокации в плоскости поперечного скольжения; kT - тепловая энергия; gamma - скорость пластической деформации; tau₀ и gamma₀ - постоянные. Найдено, что величина параметра A/mu b³, как и в ГЦК кристаллах, снижается с ростом энергии дефектов упаковки gamma_D/mu b в последовательности KCl, LiF, NaCl, где mu - модуль сдвига, b - вектор Бюргерса. На основании проведенного анализа сделан вывод, что динамический отдых в щелочно-галоидных кристаллах обусловлен аннигиляцией винтовых дислокаций механизмом их термоактивированного поперечного скольжения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.