Электропроводность и термоэдс сульфида и селенида германия при давлениях 20--50 ГПа
Игнатченко О.А.1, Бабушкин А.Н.1, Мельникова Н.В.1
1Уральский государственный университет им. А.М.Горького Екатеринбург
Поступила в редакцию: 9 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.
Проведены исследования электронных свойств GeS и GeSe под действием давлений 20-50 ГПа. Обнаружен переход полупроводник I-полуметалл-полупроводник II при давлениях выше 40 ГПа. Полученные результаты позволяют предположить наличие фазового перехода при давлениях ниже 20 ГПа.
- Landolt H., Bornstein R. Numerisal Data and Functional Relation--shirs in Science and Technology. New Series. V. 17 h. Berlin, Springer--Verlag, 1983. 565 p
- Abricosov N.Kh., Bankina V.F., Posetskaya L.V., Shelimova L.E., Skudnova E.V. Semiconducting II--VI, IV--VI and V--VI Compounds. N 4. Plenum Press, 1969. 135 p
- Asanabe S., Okazaki A. J. Phys. Soc. Japan. 1960. V. 15. N. 6. P. 989--997
- Kannewurf C.R., Cashman R.I. J. Phys. and Chem. Solids. 1961. V. 22. N. 3. P. 293--298
- Van Den Dries J.G., Lieth R.M. Physica Statys Solidi. 1971. V. 5. N. 3. P. K171--K174
- Бранд Н.Б., Берман И.В., Сидоров В.И. Физика и техника высоких давлений. 1986. N 23. С. 16--18
- Верещагин Л.Ф., Яковлев Е.Н., Степанов Г.Н. Письма в ЖЭТФ. 1972. Т. 18. N 4. С. 823--831
- Макушкин А.П. Трение и износ. 1984. N 5. С. 823--830
- Yagi T., Suzuki T., Akimoto S. J. Phys. Chem. Solids. 1983. V. 44. N 2. P. 135--140
- Рантмахер В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1987. 351 с
- Бабушкин А.Н., Бабушкина Г.В., Урицкий З.И., Кобелев Л.Я. Неорганические материалы. 1991. Т. 27. N 6. С. 1147--1150
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук