Особенности спектров плотности состояний в объеме и на поверхности пленок a-SiC:H(O) и a-Si 1- xC x:H(O), полученных ВЧ распылением
Лигачев В.А.1
1Московский энергетический институт
Поступила в редакцию: 19 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований спектров плотности состояний в объеме и на поверхности двух серий пленок a-SiC:H(O) и a-Si1-xCx:H(O), полученных высокочастотным ионно-плазменным распылением твердых мишеней в атмосфере аргон-водород с соотношением компонентов 7:1. Распределение плотности состояний исследовалось методами постоянного фототока и токов, ограниченных пространственным зарядом, при комнатной температуре. Подтверждены результаты ранее выполненных исследований о присутствии в объеме полученных ВЧ распылением углеродсодержащих пленок пиков плотности состояний, которые лежат на 1.5-1.7 и 1.8-2.2 эВ ниже дна зоны проводимости. Представляется оправданной идентификация пиков с энергией 1.5-1.7 эВ с A-центрами, существование которых постулировано Моригаки и сотрудниками для интерпретации результатов экспериментов по ОДМП в a-Si:H. Обнаружено также присутствие в спектрах плотности состояний весьма узких (порядка 1 мэВ), появление которых связывается с поверхностными эффектами на границе пленка-подложка.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1, M.: Мир, 1982. 368 с
- Филиков В.А., Попов А.И., Лигачев В.А. и др. Тез. докл. Всесоюзн. конф. "Электрофотография-88". М., 1988. Ч. II. C. 111--114
- Филиков В.А., Сулеман Х., Лигачев В.А. и др. Сб. науч. трудов N 640. М., МЭИ, 1991. С. 46--54
- Раков А.В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Сов. радио, 1975. 176 с
- Vanecek M., Abraham A., Stika O. et al. Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V. 83. P. 617--623
- Лигачев В.А., Филиков В.А. ФТП. 1991. Т. 25. N 1. C. 133--137
- den Boer W. J. de Physique. Coll. 4. 1981. V. 42. Suppl. 10. P. C4.451--C4.454
- Morigaki K., Sano Y., Hirabayashi I. et al. Sol. St. Comm. 1982. V. 43. N 10. P. 751--758
- Konenkamp R. Phys. Rev. B. 1987. V. 36. N 5. P. 2938--2941
- Балагуров Л.А., Карпова Н.Ю., Омельяновский Э.М. и др. Тез. докл. IX Международн. конф. "Некристаллические полупроводники-89". Ужгород, 1989. Ч. III. С. 7--9
- Weisfield R.L. J. Appl. Phys. 1983. V. 54. N 11. P. 6401--6416
- Голикова О.А., Домашевская Э.П., Казанин М.М. и др. ФТП. 1989. Т. 23. N 3. C. 450--455
- Лей Л. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Ч. II /Под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. М.: Мир, 1988. 448 c
- Филиков В.А., Гордеев В.Н., Лигачев В.А. Тез. докл. Всесоюзн. семинара "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение". Л., 1991. С. 71
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
