Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние деформации на тонкую структуру экситонных уровней в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 31 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.
Для сверхрешеток GaAs/AlAs (001) типа II рассмотрено влияние одноосной деформации, приложенной перпендикулярно оси сверхрешетки, на огибающие волновых функций нижнего дырочного состояния. Показано, что возникающие при этом изменения тонкой структуры экситонных уровней нарушают эквивалентность двух классов экситонов, существующих в сверхрешетке. Описано влияние деформации на поляризацию рекомбинационного излучения.
- Danan G., Etienne B., Mollot F., Planel R., Jean-Louis A.M., Alexandre F., Jusserand B., Le Roux G., Marzin J.Y., Savary H., Sermage B. Phys. Rev. B. 1987. V. 35. P. 6207--6212
- van Kesteren H.W., Cosman E.C., van der Poel W.A.J.A., Foxon C.T. Phys. Rev. B. 1990. V. 41. P. 5283--5292
- Алейнер И.Л., Ивченко Е.Л. Письма в ЖЭТФ. 1992. Т. 55. С. 662--664
- Ивченко Е.Л., Каминский А.Ю., Алейнер И.Л. ЖЭТФ. 1993. Т. 104 (в печати)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
