Исследование спин-решеточной релаксации в триплетно возбужденных состояниях примесных молекулярных кристаллов, обусловленной спин-орбитальным взаимодействием
Андреев В.А.1, Прилуцкий Ю.И.1
1Киевский университет им.Т.Шевченко
Поступила в редакцию: 30 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.
Исследован механизм спин-решеточной релаксации (СРР) в триплетно возбужденных состояниях (ТВС) примесных молекулярных кристаллов, основанный на модуляции энергии спин-орбитального взаимодействия (СОВ), возникающей из-за примешивания вращательных движений молекул и колебательных движений ядер молекул к поступательным движениям молекул при акустических колебаниях решетки. В его рамках подробно изучены прямые однофононные процессы. С использованием методов молекулярных орбиталей (МО) и атом-атомных потенциалов проведен конкретный расчет характеристик данного типа СРР для реальной решетки кристалла дейтеронафталина с примесью нафталина.
- Андреев В.А., Прилуцкий Ю.И. Укр. физ. журн. 1992. Т. 37. N 6. С. 844--850
- Андреев В.А., Прилуцкий Ю.И. ФТТ. 1992. Т. 34. N 7. С. 2204--2212
- Андреев В.А., Прилуцкий Ю.И. ФТТ. 1992. Т. 34. N 10. С. 2994--3000
- Sugakov V.I., Shtepa Yu.D. Phys. St. Sol. B. 1983. V. 116. N 2. P. 633--638
- Фудзинага С. Метод молекулярных орбиталей. М.: Мир, 1983. С. 461
- Китайгородский А.И. Молекулярные кристаллы. М.: Наука, 1971. С. 424
- Мак-Глинн С., Адзуми Т., Киносита М. Молекулярная спектроскопия триплетного состояния. М.: Мир, 1972. С. 448
- Минаев Б.Ф. Физика молекул. 1979. Вып. 7. С. 34--67
- Варшалович Д.А., Москалев А.Н., Херсонский В.К. Квантовая теория углового момента. Л.: Наука, 1975. С. 439
- Bokhenkov E.L., Rodina E.M., Sheka E.F., Natkaniec I. Phys. St. Sol. B. 1978. V. 85. N 1. P. 331--342
- Pariser R. J. Chem. Phys. 1956. V. 24. N 2. P. 250--267
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук