Проведен сравнительный анализ люминесцентных и сцинтилляционных свойств монокристаллов Y₃Al₅O₁₂ : Ce, выращенных из расплава методами Чохральского и горизонтальной направленной кристаллизации в различных газовых средах, а также монокристаллических пленок Y₃Al₅O₁₂ : Ce, полученных методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе флюса PbO-B₂O₃. Установлена существенная зависимость сцинтилляционных свойств монокристаллов Y₃Al₅O₁₂ : Ce от условий их вращения и концентраций антиузельных дефектов Y_Al и вакансионных дефектов, которые в этих кристаллах участвуют в процессах возбуждения излучения ионов Ce³⁺ как центры собственной УФ-люминесценции и центры захвата. Показано, что монокристаллические пленки Y₃Al₅O₁₂ : Ce обладают более быстрой, чем монокристаллы, кинетикой затухания сцинтилляций и меньшим содержанием медленных компонентов в затухании люминесценции ионов Ce³⁺ при высокоэнергетическом возбуждении вследствие отсутствия в них антиузельных дефектов Y_Al и низкой концентрации вакансионных дефектов. Вместе с тем световыход монокристаллических пленок Y₃Al₅O₁₂ : Ce из-за тушащего действия примеси ионов Pb²⁺ как компонентов флюса сравним со световыходом монокристаллов, полученных методом направленной кристаллизации, и несколько меньше (~ на 25%), чем световыход монокристаллов, полученных методом Чохральского. Измерения спектров возбуждения люминесценции и кинетики ее затухания кристаллов и пленок YAG : Ce при возбуждении синхротронным излучением выполнены в рамках проекта II-20090087 "Luminescence of UV-emitting single crystalline film phosphors" в HASYLAB, DESY (Гамбург, ФРГ).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.