Вышедшие номера
Влияние магнитного поля и температуры измерения на вид спектров микрофотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Eu
Мездрогина М.М.1, Москаленко Е.С.1, Кожанова Ю.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

На основании комплексных исследований влияния напряженности магнитного поля, температуры измерения на вид спектров микрофотолюминесценции (микро-ФЛ) структур с квантовыми ямами InGaN/GaN, легированных Eu, определения зарядового состояния примесного иона Eu, изменения концентрации легирующего иона показано, что при увеличении напряженности магнитного поля (0-5 T) в отличие от нелегированных структур наблюдается более существенное уменьшение интенсивности излучения. Увеличение температуры измерения от 4.2 до 78 K приводит к усилению эффекта влияния магнитного поля на вид спектров микро-ФЛ легированных Eu структур InGaN/GaN. Показано, что легирование Eu структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN при большом уровне возбуждения приводит к сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра. Работа выполнена при поддержке гранта "Сильно коррелированные системы" президиума РАН.