Давление силы Казимира на слой диэлектрика в структурах металл-диэлектрик-полупроводник
Климчицкая Г.Л.1, Федорцов А.Б.1, Чуркин Ю.В.1, Юрова В.А.1
1Северо-Западный государственный заочный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: physics@nwpi.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
Проведены расчеты величины давления, создаваемого силой Казимира, на слой диэлектрика в структурах металл-диэлектрик-полупроводник, близких по параметрам к используемым в производстве полупроводниковых приборов. Установлено, что с уменьшением толщины диэлектрика в диапазоне от 80 до 40 nm давление силы Казимира возрастает на порядок и достигает десятков паскалей. Толщина слоя металла и наличие поверхностного слоя с высокой концентрацией носителей заряда в полупроводнике слабо влиют на расчетные значения казимировского давления. Работа поддержана грантами N 16.740, 11.0144. П-184, П-898, 4232 АВЦП "Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2011 гг.)" и ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России (на 2009-2012 гг.)".
- E. Buks, M.L. Roukes. Europhys. Lett. 54, 2, 220 (2001)
- E. Buks, M.L. Roukes. Phys. Rev. B 63, 033/402 (2001)
- H.B. Chan, V.A. Aksyuk, R.N. Kleiman, D.I. Bishop, F. Capasso. Science 291, 1941 (2001)
- M. Borgad, G.L. Klimchitskaya, U. Mohideen, V.M. Mostepanenko. Advances in the Casimir effect Oxford University Press. Oxford (2009). 750 p
- В.П. Дьконов. Intel. Новейшие информационные технологии. Достижения и люди. СОЛОН-Пресс. М. (2004). 416 с
- В.П. Дьконов, А.А. Максимчук. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. СОЛОН-Р, М. (2002). 512 с
- Д.Г. Громов, А.И. Мочалов. Металлизация ультрабольших интегральных схем. Учебное пособие. БИНОМ. М. (2009). 277 с
- D. Ferry, L. Akers, E. Greeneich. Ultra large scale integrated microelectronics. Prentice Hall Inc. N.J., USA (1991). 304 p
- И.Е. Дзялошинский, Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. УФН 73, 381 (1961)
- F. Zhou, L. Spruch. Phys. Rev. A 52, 297 (1995)
- G.L. Klimchitskaya, U. Mohideen, V.M. Mostepanenko. Phys. Rev. A 61, 062 107 (2000)
- M.S. Tomas. Phys. Rev. A 66, 052 103 (2002)
- C. Raabe, L. Knoll. Phys. Rev. A 68, 033 810 (2003)
- A. Milling, P. Mulvaney, I. Larson. Langmuir 13, 3896 (1997)
- S.-W. Lee, W.M. Sigmund. J. Colloid Interface Sci. 243, 365 (2001)
- I.N. Munday, F. Capasso, V.A. Parsegian. Nature 457, 170 (2009)
- A. Lambrecht, I. Pirozhenko, L. Duraffourg. Ph. Andreucci. Europhys. Lett. 77, 44 006 (2007)
- Ю.С. Бараш. Силы Ван-дер-Ваальса. Наука, М. (1988). 344 с
- В.М. Мостепаненко, Н.Н. Трунов. Эффект Казимира и его приложения. Энергоатомиздат, М. (1990). 432 с
- V.A. Parsegian. Van der Waals Forces. Handbook for biologists, chemists, engineers and physicists. Cambridge University Press. Cambridge (2005). 394 p
- M.A. Ordal, R.J. Bell, R.W. Alexander, Jr., L.L. Long, M.R. Querry. Appl. Opt. 24, 4493 (1985)
- М.М. Бредов, В.В. Румянцев, И.Н. Топтыгин. Классическая электродинамика. Наука, М. (1985). 400 с
- R.S. Decca, D. Lopez, E. Fischbach, G.L. Klimchitskaya, D.E. Krause, V.M. Mostepanenko. Ann. Phys. (N.Y.) 318, 37 (2005)
- R.S. Decca, D. Lopez, E. Fischbach, G.L. Klimchitskaya, D.E. Krause, V.M. Mostepanenko. Eur. Phys. J. C 51, 963 (2007)
- G.L. Klimchitskaya, U. Mohideen, V.M. Mostepanenko. Rev. Mod. Phys. 81, 1827 (2009)
- Handbook of optical constants of solids / Ed. E.D. Palik. Academic Press, N.Y. (1991). V. 2. 571 p
- L. Bergstrom. Adv. Colloid Interface Sci. 70, 125 (1997)
- F. Chen, U. Mohideen, G.L. Klimchitsckaya, V.M. Mostepanenko. Phys. Rev. A 72, 020 101 (2005)
- F. Chen, G.L. Klimchitskaya, V.M. Mostepanenko, U. Mohideen. Phys. Rev. Lett. 97, 170 402 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук