Вышедшие номера
Проводимость и вольт-амперные характеристики тонкопленочных гетероструктур на основе ЦТС
Каменщиков М.В.1, Солнышкин А.В.1, Богомолов А.А.1, Пронин И.П.2
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Mikhailkamenschikov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 22 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Проведено исследование электропроводности методом вольт-амперных характеристик (ВАХ) тонкопленочных структур Pt/ЦТС/Pt. Обнаружена асимметрия ВАХ, свидетельствующая о различии в величинах потенциальных барьеров на интерфейсах исследуемых структур, которая меняется в зависимости от условий синтеза. Установлено, что ВАХ, представленная в полулогарифмическом масштабе, имеет несколько линейных участков, что свидетельствует о наличии нескольких механизмов проводимости в данной структуре. Выделено два основных механизма проводимости: омический и эмиссия Пула-Френкеля. С ростом температуры проводимость данных структур увеличивается не меняя вид ВАХ.