Представлены первые результаты, полученные при исследовании влияния ИК-излучения на низкотемпературную (1.8=< T=<4.2 K) пластичность твердого H₂. Обнаружено, что при подаче на образцы ИК-потока имеет место резкое, не сопровождающееся ростом их температуры приращение Deltavarepsilon_IR величины varepsilon относительного удлинения, достигнутого предварительно под действием постоянно приложенного к ним напряжения sigma=const. Установлен пороговый характер эффекта, обнаруживаемого как в случае нормального водорода (n-H₂, 75% o-H₂), так и параводорода (p-H₂, ~0.2% o-H₂) лишь при достаточно высокой мощности источника ИК-излучения. Выявлен обратный ход деформации H₂ с прекращением воздействия потока ИК-фотонов - быстрое уменьшение величин varepsilon до обеспечиваемых только приложенной нагрузкой. Появление скачков Deltavarepsilonⁱ_IR интерпретируется как следствие существования фундаментальной полосы ИК-поглощения для твердых водородов. Установлено, что в заисимости от времени t выдержки образцов под воздействием ИК-излучения изменение величины Deltavarepsilon_IRⁱ(t) подчиняется характерному для дислокационной ползучести логарифмическому закону, как и в случае необлученного H₂. Обнаружено также, что в результате многократного сравнительно длительного воздействия ИК-излучения имеет место резкое понижение константы alpha логарифмической ползучести n-H₂ и заметный рост прочности образцов как n-H₂, так и p-H₂, что указывает на их явное упрочнение (вместо ожидаемого в результате ИК-облучения "сверхпластического" поведения).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.