Вышедшие номера
Образование переходов междоузельные атомы--вакансии при имплантации ионов в кристалл
Сугаков В.И.1
1Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
Email: sugakov@kinr.kiev.ua
Поступила в редакцию: 29 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Проведено моделирование диффузионного движения внедренных в кристалл атомов и точечных дефектов, созданных облучением, в пространстве за областью проективного пробега. Показано, что за областью пробега ионов возникает сильно обедненная вакансиями область, в конце которой появляется пик вероятности процессов рекомбинации междоузельных атомов с вакансиями, а также пик концентрации комплексов вакансий с внедренными атомами. Определяющую роль играют следующие факторы: 1) созданное облучением общее число атомов в междоузельном положении, включая имплантированные атомы и собственные атомы кристалла, превышает число вакансий, созданных облучением; 2) имеются термодинамически равновесные вакансии; 3) образуются неподвижные комплексы имплантированных атомов с вакансиями. Размеры области с чрезвычайно малой концентрацией вакансий могут намного превышать длину пробега ионов и достигать несколько десятков микрометров. Анализируются возможные проявления эффекта.