Спектры поверхностной фотоэдс и поверхностные состояния GaAs(100) с субмоноатомными слоями цезия
Мусатов А.Л.1, Смирнов С.Ю.1
1Институт радиотехники и электроники РАН Фрязино Московская область
Поступила в редакцию: 29 января 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
Приведены спектры поверхностной фотоэдс при hnu<Eg для GaAs(100) n- и p-типов после термической очистки поверхности полупроводника в сверхвысоком вакууме и после нанесения при T~ 150 K субмоноатомных слоев цезия. Из анализа спектров сделан вывод, что адсорбция Cs на GaAs вызывает появление в запрещенной зоне GaAs как дородных, так и дефектных поверхностных состояний. Энергия донорных поверхностных уровней относительно верха валентной зоны при концентрации Cs на поверхности GaAs менее 0.5 монослоя равна 0.75-0.9 эВ, а при увеличении количества Cs до 1 монослоя уменьшается до 0.5-0.6 эВ. Энергия дефектных поверхностных состояний равна 0.5 эВ относительно верха валентной зоны.
- Brillson L.J. Surf. Sci. Rep. 1982. V. 2. N 2. P. 123--326
- Spicer W.E., Kendelewicz T., Newman N. et al. Appl. Surf. Sci. 1988. V. 33/34. P. 1009--1029
- Monch W. J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. B6. N 4. P. 1270--1276
- Klepeis J.E., Harrison W.A. J. Vac. Sci. Technol. 1989. V. B7. N 4. P. 964--970
- Shapira Y., Brillson L.J., Heller A. Phys. Rev. B. 1984. V. 29. N 12. P. 6824--6832
- Viturro R.E., Shaw J.L., Brillson L.J. et al. J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. B6. N 4. P. 1397--1402
- Мусатов А.Л., Гейзер С.В. ФТТ. 1991. Т. 3. N 1. С. 124--128
- Musatov A.L., Smirnov S.Yu. Surf. Sci. 1992. V. 269/270. P. 1048--1053
- Cao R., Miyano K., Kendelewicz T. Phys. Rev. B. 1989. V. 39. N 17. P. 12655--12663
- Остроумова Е.В. ФТП. 1969. Т. 3. N 7. С. 1095--1097
- Gatos H.C., Lagowski J. J. Vac. Sci. Technol. 1973. V. 10 N 1. P. 130--135
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М., 1977. 672 с
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. М.: Мир, 1984
- Стейнриссер Ф., Хетрик Р.Е. Приборы для научных исследований. 1971. N 3. С. 14--18
- Goldstein B., Szostak D. Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. N 3. P. 111--113
- Kamaratos M., Bauer E. J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 12. P. 7564--7572
- Ridley B.K. J. Phys. C: Solid St. Phys. 1980. V. 30. N 10. P. 2015--2026
- Lay G.L., Mao D., Kahn A. et al. Phys. Rev. B. 1991. V. 43. N 7. P. 14301--14304
- Pretisch M., Domke M., Laubschat et al. Phys. Rev. Lett. 1988. V. 60. N 5. P. 436--439
- Stiles K., Kahn A. Phys. Rev. Lett. 1988. V. 60. N 5. P. 440--443
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук