Изменение валентности тулия в соединениях TmSb 1- xTe x
Абдусалямова М.Н.1, Алексеев П.А.1, Клементьев Е.С.1, Нефедова Е.В.1, Нижанковский В.И.1
1Институт атомной энергии им. И.В.Курчатова Москва
Поступила в редакцию: 19 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
Проведены измерения концентрационных зависимостей параметров кристаллической решетки, электропроводности, магнитной восприимчивости для серии образцов TmSb1-xTex. Показано, что наряду с концентрационным переходом металл-полупроводник в системе реализуется переход Tm3+ Tm2+ в полупроводниковой фазе. Из измерений магнитной восприимчивости следует, что при этом существует область концентраций x, соответствующая промежуточно-валентному состоянию иона тулия.
- Kaldis E., Fritzler B. Prog.Solid State Chem. 1982. V. 14. P. 95--139
- Battlog B., Ott H.R., Kaldis, Thoni W., Wachter P. Phys. Rev. B. 1979. V. 19. N 1. P. 247--259
- Battlog B. Phys. Rev. B. 1981. V. 23. N 2. P. 650--663
- Syassen K., Winzen H., Leger J.M., Oki K., Suryanarayanan R., Bach H. Phys. C: Sol. St. Phys. 1986. V. 19. P. 3753--3763
- Ribault M., Flouguet J., Haen P., Lapierre F., Mignot J.M., Holtzberg F. Phys. Rev. Lett. 1980. V. 45. N 15. P. 1295--1298
- Boppart H. JMMM. 1985. V. 47--48. P. 436--442
- Bucher E., Andres K., di Salvo F.J., Maita J.P., Gossard A.C., Cooper A.S., Hull G.W., Jr. Phys. Rev. B. 1975. V. 11. N 1. P. 500--513
- Furrer A., Buhrer W., Wachler P. Valence instabilities / Ed. P. Wachter and H. Boppart. North--Holland Publishing Company. 1982. P. 319--323
- Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. М.: Химия, 1978. С. 22--23
- Mullen M.E., Luthi B., Wang P.S. Phys. Rev. B. 1974. V. 10. N 1. P. 186--199
- Birgeneau R.J., Bucher E., Passel L., Turberfield K.C. Phys. Rev. B. 1971. V. 4. N 3. P. 718--725
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук