Вышедшие номера
Высокотемпературная граница эффективности экситон-поляритонных процессов в кристаллах теллуридов кадмия и цинка
Алиев Г.Н.1, Кощуг О.С.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

В диапазоне T=2/ 280 выполнено исследование температурной зависимости экситонных спектров поглощения сверхтонких монокристаллических пластинок CdTe и ZnTe. Обнаружены немонотонное поведение минимальной прозрачности в области дискретной полосы основного экситонного состояния при повышении температуры и нарушение закона Бугера для поглощения в низкотемпературной области. Применение подходящей аппроксимации для состояний континуума позволило построить температурную зависимость интегрального поглощения K в дискретном спектре, которое обнаруживает резкий (почти четырехкратный) рост с повышением температуры с последующим насыщением при Kmax=K нас. Такое поведение K свидетельствует о превращении ''экситонный поляритон-механический экситон'', происходящем при весьма высокой температуре - 80 и 110 K для CdTe и ZnTe соответственно. Вычисляемые по K нас величины продольно-поперечного расщепления Delta LT соответствуют 0.45± 0.05 для CdTe и 0.65± 0.06 мэВ для ZnTe. Парадоксальное наблюдение поляритонных эффектов при ширинах линий, многократно превышающих критическое затухание, находит объяснение при обнаружении значительного вклада температурно-зависимого неоднородного уширения, наиболее существенная часть которого создается электрическими полями областей пространственного заряда у поверхностей образца.