Вышедшие номера
Температурный гистерезис диэлектрической проницаемости кристаллов Li 2Ge 7O 15
Кудзин А.Ю.1, Волнянский М.Д.1, Баин А.К.1
1Днепропетровский государственный университет
Поступила в редакцию: 19 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Проведено исследование температурной зависимости диэлектрической проницаемости слабого сегнетоэлектрика Li2Ge7O15. Обнаружено существенное уменьшение величины диэлектрической проницаемости при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода varepsilonmax в зависимости от направления изменения температуры (охлаждение, нагревание). Уменьшение varepsilonmax при нагревании объясняется влиянием внутреннего электрического поля, образование которого связано с компенсацией поля спонтанной поляризации.