Температурный гистерезис диэлектрической проницаемости кристаллов Li 2Ge 7O 15
Кудзин А.Ю.1, Волнянский М.Д.1, Баин А.К.1
1Днепропетровский государственный университет
Поступила в редакцию: 19 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.
Проведено исследование температурной зависимости диэлектрической проницаемости слабого сегнетоэлектрика Li2Ge7O15. Обнаружено существенное уменьшение величины диэлектрической проницаемости при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода varepsilonmax в зависимости от направления изменения температуры (охлаждение, нагревание). Уменьшение varepsilonmax при нагревании объясняется влиянием внутреннего электрического поля, образование которого связано с компенсацией поля спонтанной поляризации.
- Haussuhl S., Wallrafen F., Recher K., Eckstein J. Z.Kristallogr. 1980. V. 153. P. 329
- Vollenkle H., Wittman A., Nowotny H. Monatsh. Chemie. 1970. V. 101. P. 46
- Terauchi H., Iida S., Nishihata Y., Wada M., Sawada S., Ishibashi Y. J. Phys. Soc. Jpn. 1983. V. 52. P. 2312
- Wada M., Ishibashi Y. J. Phys. Soc. Jpn. 1983. V. 52. P. 193
- Nye J.F. Physical Properties of Crystals. Oxford, Clarendon press, 1957. 385 p
- Nakamura E., Ushio S., Abe K. J. Phys. Soc. Jpn. 1984. V. 53. P. 403
- Холоденко Л.П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария. Рига, 1971. 227 с
- Volnyanskii M.D., Kudzin A.Yu., Shvets T.V. ISED-2. 7--12 July 1992. Abstracts. Nantes, 1992. P. 108
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук