Представлены результаты СТМ-исследований поверхностей n-GaAs (110), пассивированных в водном растворе Na₂S. Показано, что с помощью Na₂S пассивации можно подготовить поверхность скола с величиной R _app=< 0.1 нм. На СТМ-изображении таким образом подготовленной поверхности ясно видна развитая структура атомных ступеней. При помощи Na₂S пассивации были получены устойчивые к окислению поверхности, что дает возможность использовать их для создания с помощью СТМ искусственного нанорельефа на поверхности. Было также показано, что длительная обработка наряду с пассивацией приводит одновременно и к подтравливанию поверхности. При этом на поверхности развивается структура бугорков травления, ориентированных вдоль направления [110] плоскости скола.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.