Вышедшие номера
Спиновое упорядочение носителей заряда, локализованных на двух глубоких центрах в кубических полупроводниках
Аверкиев Н.С.1, Ильинский С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Рассчитаны энергетические структуры систем из одного и двух носителей в поле двух центров как донорного, так и акцепторного типа в полупроводниках с простой и сложной валентной зонами типа Ge и GaAs в рамках метода потенциала нулевого радиуса. Показано, что во всех этих случаях основное состояние отвечает либо нулевому значению проекции суммарного момента дырок на ось, соединяющую центры, либо нулевому значению полного спина для электронов. Вычислена зависимость от расстояния между центрами разницы между энергией основного и первого возбужденного состояния в каждом из случаев.