Вышедшие номера
Влияние структурного беспорядка на экситонные состояния в полупроводниковых соединениях A 2B 6
Арешкин А.Г.1, Литвинова Н.Н.1, Маслов А.Ю.1, Марков Л.С.1, Щукин В.А.1, Федоров Д.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Теоретически и экспериментально рассмотрено влияние одномерного беспорядка на экситонные состояния в бинарных соединениях A2B6 и твердых растворах на их основе. Показано, что структурный фазовый переход сфалерит (ZB)-вюрцит (W) в рассматриваемых системах возможен через промежуточные структуры, содержащие политипы и дефекты упаковки. Разработан способ оценки содержания дефектов упаковки в кристаллах по их спектрам экситонного отражения.