-1 Механизм поверхностного дефектообразования в ионных кристаллах под действием электронного и ионного облучения
Атабаев Б.Г.1, Вергун В.Р.1, Кареев М.С.1
1Институт электроники им. У.А. Арифова АН Республики Узбекистан Ташкент
Поступила в редакцию: 28 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.
Представлены результаты исследования при помощи методов оптической спектроскопии, оже-электронной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов дефектообразования при электронном и ионном облучении в ионных кристаллах MgO и Al2O3. Обсуждается возможность применения модели миграционной коалесценции островков к описанию процессов агрегации дефектов на поверхности при облучении в условиях стимулированной десорбции.
- Лифшиц И.М., Слезов В.В. ЖЭТФ. 1958. Т. 35. N 2(8). С. 479--492
- Atabaev B.G., Besedina E.A., Kareev M.S., Dzabbarganov R. Surface and Interfaces Analysis. 1990. V. 16. P. 475--479
- Атабаев Б.Г., Беседина Е.А., Кареев М.С. Тез. докл. VIII Всес. конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом". M., 1987. T. 3. C. 69--71; Поверхность. 1989. N 9. С. 114--117
- Вергун В.Р., Ким M.Ю., Новиков Н.А., Атабаев Б.Г., Рахимов Р.Р. ПТЭ. 1992. N 4. С. 201--204
- Шварц K.K., Экманис Ю.А. Диэлектрические материалы: радиационные процессы и радиационная стойкость. Рига: Зинатне, 1989. С. 96
- Atabaev B.G., Dubinina E.M., Elovikov S.S. Saad Eldin M.M. Thin Solid Films. 1986. V. 141. P. 137--156
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук