Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Собственные дефекты и тип проводимости монокристаллов CuInSe₂

Аверкиева Г.К.¹, Бойко М.Е.¹, Полушина И.К.¹, Прочухан В.Д.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 ноября 1993 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Возможна перекристаллизация CuInSe₂ через зону ''Cu-In''. Применение метода движущегося металлического растворителя позволило получить монокристаллические слитки CuInSe₂, причем при температурах ниже 810^o C были выращены монокристаллические образцы со структурой халькопирита, обладающие электронным типом проводимости. Установлены параметры отжига, позволяющие получить монокристаллы p-типа с заданной концентрацией дырок в диапазоне p=1.7· 10¹⁵/ 9· 10¹⁸ см^-3.

Von Bardeleben H.J. J. Appl. Phys. 1984. V. 56(2).P. 321
Trykozko,Bacewicz R., Filipowicz J. Solar Cells. 1986. V. 16. P. 351--356
Арутюнян В.М., Димаксян М.Л., Маргарян А.Л., Варданян С.Х. Неорг. материалы. 1992. Т. 28. N 5. С. 1111
Yamamoto N., Yokota K., Harinaka H. J. Crystal Growth. 1990. V. 99. P. 747--751
Migliorato P., Shay J.L., Kasper H.M., Wagner S. J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 1777--1782
Стрельченко С.С., Бондарь С.А., Молодык А.Д., Бергер Л.И., Баланевская А.Э. Неорг. материалы. 1969. Т. 5. N 3. С. 593
Tell B., Shay J.L., Kasper H.M. J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 2469--2470
Fearheiley M.L. Solar Cells. 1986. V. 16. P. 91--100
Bachmann K.J., Fearheiley M., Shing Y.H., Tran N. Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44. P. 407--409
Becker K.D., Sigurd Wagner Phys. Rev. B. 1983. V. 27. P. 5240--5949
Конешова Т.И., Бабицына А.А., Калинников В.Т. Неорг. материалы. 1982. Т. 18. N 9. С. 1483
Parkers J., Tomlinson R.D.,, Hampshire M.J. J. Cryst. Growth. 1973. V. 20. P. 315--318
Kazmerski L.L., Shich C.C. Thin Solid Films. 1977. V. 41. P. 35--41
Migliorato P., Tell B., Shay J.L., Kasper H.M. Appl. Phys. Lett. 1974. V. 24. P. 227--228

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель