Вышедшие номера
Гистерезисные явления вблизи перехода металл--изолятор в легированных полупроводниках
Михеев В.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

В модели сильной связи показано, что при учете экранирования примесных потенциалов донорного типа электронами проводимости концентрация электронов проводимости как функция от концентрации доноров образует петлю гистерезиса в некотором интервале изменения концентрации доноров. Явление гистерезиса обусловлено экранированием примесных потенциалов и имеет место лишь в том случае, если концентрация электронов проводимости меняется скачком в точке перехода металл-изолятор. Наличие гистерезиса приводит к тому, что система электронов в некотором интервале изменения концентраций доноров вблизи точки перехода может находиться как в полупроводниковом, так и в металлическом состоянии в зависимости от предыстории этого состояния.