Структурная релаксация в магнитообработанной Bi 1.8Pb 0.2Sr 2 CaCu 2O x-стеклокерамике
Алексеенко В.И.1, Волкова Г.К.1, Константинова Т.Е.1, Носолев И.К.1, Попова И.Б.1
1Донецкий физико-технический институт АН Украины
Поступила в редакцию: 30 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
Методами микроиндентирования, рентгеноструктурного анализа и внутреннего трения изучается процесс структурной релаксации в аморфной стеклокерамике Bi1.8Pb0.2Sr2CaCu2Ox после обработки ее слабым импульсным магнитным полем. Обнаружено, что после обработки материала импульсным магнитным полем процесс структурной релаксации протекает при комнатной температуре и приводит к его упрочнению (увеличение микротвердости HV) и снижению уровня внутренних микронапряжений. Показано, что процесс структурной релаксации описывается уравнением реакции перехода дефектов аморфного вещества из одного энергетического состояния в другое с учетом взаимодействия между дефектами. Приводится модель, качественно объясняющая полученные результаты.
- Металлические стекла. Ионная структура, электронный перенос и кристаллизация Под ред. Г. Гюнтеродта и Т. Бека. М.: Мир, 1983. 376 с
- Внутреннее трение в исследовании металлов, сплавов и неметаллических материалов Под ред. Ф. Н. Тавадзе. М.: Наука, 1989. 289 с
- Chen H.S., Kimering L.C., Poate J.M., Walter W.L. Appl. Phys. Lett. 1978. V. 32. P. 461
- Masumoto T., Kimura H., Inoue A. Mater. Sci. \& Engin. 1976. V. 23. N 1. P. 141--144
- Золотухин И.В. ФиХС. 1982. Т. 8. N 5. C. 513--521
- Абрагам А. Ядерный магнетизм. М.: Мир, 1963. 551 с
- Генье А. Рентгенография кристаллов. М.: Изд-во физ.-мат. лит., 1961. 600 с
- Волькенштейн М.В., Птицын О.Б. ЖТФ. 1956. Т. 26. N 10. С. 2204--2222
- Алексеенко В.И., Волкова Г.К., Попова И.Б. и др. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. N 21. С. 37--39
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук