Исследование сегнетоэлектрических свойств кристаллов ниобата бария-стронция методом сканирующей зондовой микроскопии
Волк Т.Р.1, Симагина Л.В.1, Гайнутдинов Р.В.1, Иванова Е.С.1, Ивлева Л.И.2, Митько С.В.3
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
3ЗАО НТ-МДТ, Москва, Россия
Email: volk-1234@yandex.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.
Исследованы сегнетоэлектрические свойства релаксорного сегнетоэлектрика SrxBa1-xNb2O6 различных составов методом сканирующей зондовой микроскопии, а также макроскопическими поляризационными методами. Результаты измерения петель гистерезиса микро- и макроскопическими методами выявили частотную зависимость коэрцитивного поля в области f=(0.03-250) Hz; с уменьшением частоты Ec регулярно уменьшается. При наблюдении кинетики доменов под действием постоянного напряжения, приложенного к зонду АСМ, обнаружено боковое движение доменных стенок под действием полей E<< Ec. Этот результат качественно объясняет медленную, с гигантскими временами, релаксацию поляризации в SrxBa1-xNb2O6. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 09-02-00969а и 11-02-00888а), а также программы ОФН РАН "Физика новых материалов и структур".
- L. Kholkin, S.V. Kalinin, A. Roelofs, A. Gruverman. Inm: Electrical and Electromechanical Phenomena at the Nanoscale, Vol. I, Ed. by S. Kalinin and A. Gruverman. Springer, N.Y., (2007). P. 173
- R.V. Gainutdinov, T.R. Volk, O.A. Lysova, I.I. Razgonov, A.L. Tolstikhina, L.I. Ivleva. Appl. Phys. B 95, 505 (2009)
- Р.В. Гайнутдинов, Т.Р. Волк, О.А. Лысова, А.Л. Толстихина, Л.И. Ивлева. Письма в ЖЭТФ 90, 330 (2009)
- T.R. Volk, L.V. Simagina. R.V. Gainutdinov, A.L. Tolstikhina, L.I. Ivleva. J. Appl. Phys. 108, 042 010 (2010)
- P. Molina, M.O. Ramirez, L.E. Bausa. Adv. Func. Mater. 18, 709 (2008)
- X. Vidal, J. Martorell. Phys. Rev. Lett. 97, 013 902 (2006)
- L.I. Ivleva, N.V. Bogodaev, N.M. Polozkov, V.V. Osiko. Opt. Mat. 4, 168 (1995)
- M.O. Ramirez, J.J. Romero, P. Molina, L.E. Bausa. APB 81, 827 (2005)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Д.И. Ивлева. ЖЭТФ 93, 678 (2001)
- А.В. Анкудинов, А.Н. Титков. ФТТ 47, 1110 (2005)
- G. Rosenman, P. Urenski, A. Agronin, Y. Rosenwaks, M. Molotskii. Appl. Phys. Lett. 82, 104 (2003)
- S.V. Kalinin, D.A. Bonnell. Phys. Rev. B 65, 125 408 (2002)
- J. Mele. An. J. Phys. 69, 557 (2001)
- G. van der Zwan, R.M. Mazo. J. Chem. Phys. 82, 3344 (1985)
- G. Zavala, J.H. Fendler, S. Trolier-McKinstry. J. Appl. Phys. 81 7480 (1997)
- Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). С. 399
- T. Granzow, U. Doerfler, Th. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleemann. PRB 63, 174 101 (2001)
- D. Viehland, Y-H. Chen. J. Appl. Phys. 88, 6696 (2000)
- D.V. Isakov, T.R. Volk, M.S. Belsley, L.I. Ivleva. Appl. Phys. Lett. 92, 032 904 (2008)
- I. Agronin, M. Molotskii, Y. Rosenwaks, G. Rosenmaan, B.J. Rodriguez, A.I. Kingon, A. Gruverman. J. Appl. Phys. 99, 104 102 (2006)
- R.C. Miller, A. Sabage. Phys. Rev. 115, 1176 (1959)
- T.R. Volk, D. Isakov, N. Ivanov, L.I. Ivleva, K. Betzler, A. Tunuagi, M. Woehlecke. J. Appl. Phys. 97, 074 102 (2005)
- Т.Р. Волк, Д.В. Исаков, Л.И. Ивлева, ФТТ, 45, 1463 (2003)
- R.V. Chamberlin. Phase Transitions 65, 169 (1998)
- W. Kleemann. J. Material Science 41, 129 (2006)
- T. Granzow, V. Doerfler, T. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleemann. Europhys. Lett. 57, 597 (2002)
- P. Paruch, T. Giamaarchi, T. Tybell, J.-M. Triscone. J. Appl. Phys. 100, 051 6087 (2006)
- N.A. Pertsev, A. Petraru, H. Kohlstedt, R. Waser, I.K. Bdikin, D. Kiselev, A.L. Kholkin. Nanotechnology 19, 375 703 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.