Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рентгенодифракционное исследование дислокационной структуры в системах молекулярно-лучевой эпитаксии с высоким уровнем несоответствия параметров решеток
Кютт Р.Н.1, Сорокин Л.М.1, Аргунова Т.С.1, Рувимов С.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
Трехкристальной рентгеновской дифрактометрией и просвечивающей электронной микроскопией исследованы закономерности дефектообразования в гетерокомпозициях с большим уровнем несоответствия параметров решетки пленки и подложки: GaAs/Si (Delta a/a=4%), GaSb/GaAs (Delta a/a=8%), InSb/GaAs(Delta a/a=16%). Измерены значения полуширин рентгеновских отражений в двух ортогональных направлениях: параллельно и перпендикулярно вектору дифракции для нескольких порядков отражения и разной геометрии дифракции. Установлено, что для всех исследованных систем уширение кривых отражения пленки в поперечном направлении (w normal ) заметно больше, чем в продольном (w||). Электронная микроскопия выявила несколько областей с различной плотностью дислокаций по толщине эпитаксиального слоя. Установлено соответствие между полученными дифракционными закономерностями и дислокационной структурой эпитаксиального слоя (без учета тонкой области вблизи границы раздела).
- Chu S.N.G., Macrander A., Strege K.E., Jonson W.P. J. Appl. Phys. 1986. V. 57. P. 249--257
- Кют Р.Н., Хапачев Ю.П. ЖТФ. 1993. Т. 63. N 12. С. 50--61
- Hill M.J., Tanner B.K., Halliwell M.A.G., Lyons M.H. J. Appl. Cryst. 1985. V. 18. P. 446--451
- Tapfer L., Ploog K. Phys. Rev. 1986. V. B33. P. 5565--5574
- Fantner E.J. Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. P. 803--805
- Itoh N., Okamoto K. J. Appl. Phys. 1988. V. 63. P. 1486--1491
- Lucas C.A., Hatton P.D., Bates S., Ryon T.W., Miles S., Tanner B.K. J. Appl. Phys. 1988. V. 63. P. 1936--1940
- Кютт Р.Н., Аргунова Т.С. ФТТ. 1989. Т. 31. N 1. С. 40--45
- Fewster P.F. J. Appl. Cryst. 1989. V. 22. P. 64--70
- Koppensteiner E., Springholz G., Hamberger P., Bauer G. J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 6062--6071
- Lucas N., Zabel H., Morcoc H., Unlun H. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. P. 2117--2119
- Lum R.M., Klingert R.B., Bylsma R.B., Glass A.M., Macrander A.T., Harris T.D., Lamont M.G. J. Appl. Phys. 1988. V. 64. P. 6727--6732
- Soga T., Nozaki S., Noto N. Jap. J. Appl. Phys. 1989. V. 28. P. 2441--2445
- Faterni M., Chaudhuri J., Mittereder J., Christov A. J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 1154--1160
- Rocher A.M. Solid State Phenomena. 1991. V. 19\&20. P. 563--572
- Кютт Р.Н., Шольц Р., Рувимов С.С., Аргунова Т.С., Будза А.А., Иванов С.В., Копьев П.С., Сорокин Л.М., Щеглов М.П. ФТТ. 1993. Т. 35. N 3. С. 724--725
- Антипов В.Т., Каллион Р.В., Кютт Р.Н., Никишин С.А., Рувимов С.С., Синявский Д.В., Соловьев В.А., Сорокин Л.М., Фалеев Н.Н., Щеглов М.П. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. N 2. С. 1--5
- Thermophysical Properties of Matters / Ed. Y.S.Touloksian, K.K.Kirby, R.E.Taylor and T.Y.Lec. Plenum, New York, 1975. V. 12\&13
- Showalter L.J., Hall E.L., Lewis N., Hashimoto S. Thin Solid Films. 1990. V. 184. P. 437
- Рябошапка К.П. Завод. лаб. 1981. N 5. С. 26--28
- Macrander A.T., Schwartz G.P., Guallieri G.J. J. Appl. Phys. 1988. V. 64. P. 6733--6745
- Chauchari J., Shah S., Harbison J.P. J. Appl. Phys. 1989. V. 66. P. 5573--5575
- Holy V., Kubena J., Abramof E., Lischka K., Peesek A., Koppensteiner E. J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 1736--1743
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
