Фазовый переход металл--полупроводник и эффект переключения в оксидах переходных металлов
Пергамент А.Л.1, Стефанович Г.Б.1, Чудновский Ф.А.1
1Петрозаводский государственный университет
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
Исследован эффект переключения с S-образной ВАХ в МОМ структурах на основе тонких пленок (500-2000 Angstrem) окислов переходных металлов (V, Nb, Ti, Fe, Ta, W), полученных анодным окислением. На основании исследования температурных зависимостей порогового напряжения сделан вывод о том, что наиболее вероятной причиной переключения в окисных пленках на ванадии, титане, ниобии и железе является фазовый переход металл-полупроводник в VO2, Ti2O3, NbO2 и Fe3O4 соответственно. Каналы переключения, полностью или частично состоящие из данных окислов, образуются при электрической формовке структур. Пороговое напряжение обращается в нуль при определенной температуре, совпадающей с температурой перехода для каждого из указанных соединений.
- Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с
- Сандомирский В.Б., Суханов А.А. Зарубежная радиоэлектроника. 1976. N 9. С. 68--101
- Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Цэндин К.Д. ФТП. 1981. Т. 15. N 2. С. 304--310
- Oxley D.P. Electrocompon. Sci. Technol. 1977. V. 3. N 4. P. 217--224
- Дирнлей Дж., Стоунхэм А., Морган Д. УФН. 1974. Т. 112. N 1. С. 83--128
- Lalevic B., Fuschillo N., Slusark W. IEEE Trans. Electron. Dev. 1975. V. ED-22. N 10. P. 965--967
- Chopra K.L. J. Appl. Phys. 1965. V. 36. N 1. P. 184--187
- Vezzolli G.C. J. Appl. Phys. 1979. V. 50. N 10. P. 6390--6395
- Shin S.H., Halperin T., Raccah P.M. J. Appl. Phys. 1977. V. 48. N 7. P. 3150--3153
- Taylor C., Lalevic B. Solid State Electronics. 1976. V. 19. N 8. P. 669--674
- Захарченя Б.П., Малиненко В.П., Стефанович Г.Б., Терман М.Ю. Чудновский Ф.А. Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. N 2. С. 108--110
- Котлярчук Б.К. Укр. физ. журн. 1979. Т. 24. N 11. С. 1753--1755
- Morris R.C., Christopher J.E., Coleman R.V. Phys. Rev. 1969. V. 184. N 2. P. 565--570
- Мотт Н.Ф. Переходы металл--изолятор. М.: Наука, 1979. 342 с
- Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл--полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с
- Mansingh A., Singh R. J. Phys. C. 1980. V. 13. N 33. P. 5725--5733
- Serbinov I.A., Ryabova L.A., Savitskaya Ya.S. Thin Solid Films. 1975. V. 27. P. 171--176
- Андреев В.Н., Тимощенко Н.Е., Черненко И.М., Чудновский Ф.А. ЖТФ. 1981. Т. 51. N 8. С. 1685--1689
- Zhang J.G., Eklund P.C. J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 2. P. 729--733
- Taketa Y., Furugochi R. Appl. Phys. Lett. 1977. V. 31. N 7. P. 405--406
- Одынец Л.Л., Орлов В.М. Анодные окисные пленки. Л.: Наука, 1990. 200 с
- Стефанович Г.Б. Автореф. канд. дис. Петрозаводск, 1986. 185 с
- Аверьянов Е.Е. Справочник по анодированию. М.: Машиностроение, 1988. 224 с
- Chudnovskii F.A., Stefanovich G.B. J. Solid State Chem. 1992. V. 98. P. 137--145
- Огрин Ю.Ф., Кунькова З.Э., Абдуллаев А.А. Микроэлектроника. 1973. Т. 2. N 6. С. 559--561
- Бойко Б.Т., Копач В.Р., Поздеев Ю.Л. и др. Укр. физ. журн. 1981. Т. 26. N 11. С. 1892--1897
- Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М.: Мир, 1975. 396 с
- Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Чудновский Ф.А. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. N 20. С. 69--73
- Мотт Н.Ф., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 663 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук