Вышедшие номера
Роль ковалентного взаимодействия в формировании электронной структуры графена на поверхности Ni(111) с интеркалированными слоями Au и Cu
Попова А.А.1, Шикин А.М.1, Рыбкин А.Г.1, Марченко Д.Е.1,2, Вилков О.Ю.1,3, Макарова А.А.1, Варыхалов А.Ю.2, Rader O.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2BESSY-II, Гельмгольц-центр, Берлин, Германия
3Технический университет Дрездена, Дрезден, Германия
Email: popova.anna@bk.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Исследована роль ковалентного взаимодействия в связи графена, синтезированного на поверхности Ni(111), с нижележащей Ni-подложкой и после интеркаляции под графен монослоев Au и Cu. Показано, что ковалентное взаимодействие pi-состояний графена с d-состояниями нижележащего металла (Ni, Au, Cu) приводит к значительному искажению дисперсионных зависимостей электронных pi-состояний графена в области пересечения с d-состояниями, которые могут быть описаны с позиций эффектов "непересечения" электронных состояний и формирования связывающих и разрыхляющих (d-pi)-состояний. Общая связь графена с подложкой определяется энергетическим положением и заселенностью данных гибридизованных состояний. Для графена, сформированного непосредственно на поверхности Ni(111), вследствие заселенности состояний только связывающего типа взаимодействие, с подложкой очень сильное. При взаимодействии с интеркалированными слоями Au и Cu заселенность состояний разрыхляющего и связывающего типа сравнима, что приводит к результирующей общей слабой связи графена с подложкой. В результате после интеркаляции атомов Au электронная структура становится подобной электронной структуре квазисвободного графена с линейной дисперсией pi-состояний в области точки K зоны Бриллюэна и локализацией точки Дирака в области уровня Ферми. При интеркаляции атомов Cu под графеновый монослой помимо ковалентного взаимодействия имеет место небольшой перенос заряда с частичным заполнением ранее свободных pi*-состояний со сдвигом точки Дирака на 0.35 eV в сторону увеличения энергии связи. Работа проведена в рамках гранта поддержки научных исследований СПбГУ "Синтез и электронная структура графена на различных подложках", гранта РФФИ N 11-02-00642-a "Спин-орбитальное расщепление электронных состояний, индуцированное в монослоях графена" и при поддержке Немецко-Российского Междисциплинарного научного центра "G-RISC".