Вышедшие номера
Разогрев двумерного экситонного газа в квантовых ямах GaAs/AlGaAs неравновесными фононами
Москаленко Е.С.1, Акимов А.В.1, Жмодиков А.Л.1, Каплянский А.А.1, Ченг,-=SUP=-1-=/SUP=- Т.1, Хьюз,-=SUP=-1-=/SUP=- О.1, Чаллис Л.Дж.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

По изменениям в спектрах экситонной люминесценции при T=4.5 K обнаружен разогрев двумерного экситонного газа (2DExG) в квантовых ямах разной толщины в структуре GaAs/AlGaAs под действием фононных тепловых импульсов, инжектированных в структуру со стороны подложки полуизолирующего GaAs. Результаты интерпретируются с учетом как связанной с законами сохранения специфики взаимодействия 2D-экситонов с акустическими фононами разных частот, так и неравновесного (непланковского) спектра фононов, прошедших через подложку. Отмечена роль экситон-экситонных столкновений в фононном разогреве, проявляющемся в наблюдаемой зависимости от плотности 2DExG.