Вышедшие номера
Волны зарядовой плотности в частично диэлектризованных сверхпроводниках с d-спариванием
Войтенко А.И.1, Габович А.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: collphen@iop.kiev.ua
Поступила в редакцию: 30 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Построена самосогласованная теория, описывающая dx2-y2-сверхпроводник с волной зарядовой плотности, возникающей из-за появления диэлектрической щели на антинодальных участках двумерной поверхности Ферми. Теория объясняет некоторые ключевые особенности высокотемпературных оксидов. В частности, показано, что большие наблюдаемые значения отношения 2Delta(T=0)/Tc связаны с более сильным подавлением критической температуры сверхпроводящего перехода Tc, чем сверхпроводящей щели Delta, при низких температурах T под действием волн зарядовой плотности. Предсказана возможность существования двух критических температур появления и исчезновения диэлектрического параметра порядка Sigma(T) в определенном диапазоне затравочных параметров модели. Авторы благодарны Kasa im. Jozefa Mianowskiego, Polski Koncern Naftowy ORLEN и Fundacja Zygmunta Zaleskiego, а также проекту N 23 в рамках соглашения о научном сотрудничестве между Польшей и Украиной на 2009-2011 гг. за финансовую поддержку.