Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1994, выпуск 12 » Статья стр. 3601
<<<>>>
Работа выхода электронов с сульфидированной поверхности GaAs
Бессолов В.Н.1, Ершов С.Г.1, Иванков А.Ф.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.
PDF версия
Изучалось изменение работы выхода электронов с поверхности и поверхностной фотоэдс GaAs при обработке в растворах сульфида натрия. Показано, что в ходе сульфидирования уровень Ферми GaAs сдвигается относительно уровня вакуума так, что происходит изменение работы выхода электронов с поверхности полупроводника; при этом возрастает абсолютное значение поверхностной фотоэдс, что свидетельствует о снижении скорости поверхностной рекомбинации. Изменение работы выхода линейно уменьшается с увеличением исходной работы выхода несульфидированного GaAs, при этом изменение работы выхода электронов с поверхности n-GaAs уменьшается с увеличением температуры химической обработки. Если исходная работа выхода несульфидированного полупроводника меньше некоторой характеристической величины, то работа выхода полупроводника в процессе сульфидирования увеличивается, а в обратном случае - уменьшается. Характеристическая исходная работа выхода зависит от состава используемого раствора.
  1. Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischoff J.-C., Bhat R. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 1. P. 33--35
  2. Sandroff C.J., Hegde M.S., Farrow L.A., Bhat R., Harbinson J.P., Chang C.C. J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 1. P. 586--588
  3. Oigawa H., Fan J.-F., Nannichi Y., Sughara H., Oshima M. Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. N 3A. P. L322--L325
  4. Iyer R., Chang R.R., Dubey A., Lile D.L. J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. B6. N 4. P. 1174--1179
  5. Nottenburg R.N., Sandroff C.J., Humphrey D.A., Hollenbeck D.A., Bhat R. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 3. P. 218--220
  6. Новиков Е.Б., Хасиева Р.В., Шакиашвили Г.А. ФТП. 1990. Т. 24. N 7. С. 1276--1278
  7. Tamanuki T., Koyama F., Iga K. Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. N 3. P. 499--500
  8. DeChiaro L.F., Sandroff C.J. IEEE Trans. Electron. Devices 1992. V. 39. P. 561--563
  9. Carpenter M.S., Melloch M.R., Cowans B.A., Dardas Z., Delgas W.N. J. Vac. Sci. Technol. 1989. V. B7. N 4. P. 845--850
  10. Sandroff C.J., Hegde M.S., Chang C.C. J. Vac. Sci. Technol. 1989. V. B7. N 4. P. 841--844
  11. Besser R.S., Helms C.R. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 20. P. 1707--1709
  12. Berkovits V.L., Bessolov V.N., L'vova T.V., Novikov E.B., Safarov V.I., Khasieva R.V., Tsarenkov B.V. J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 7. P. 3707--3711
  13. Koenders L., Blomacher M., Monch W. J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. B6. N 4. P. 1416--1420
  14. Bessolov V.N., Lebedev M.V., Novikov E.B., Tsarenkov B.V. J. Vac. Sci. Technol. 1993. V. B11. N 1. P. 10--14
  15. Electronegativity / Ed. by K.D.Sen, C.K.Jorgensen, Springer-Verlag, 1987. P. 220
  16. Parr R.G., Donnelly R.A., Levy M., Palde W.E. J. Chem. Phys. 1978. V. 68. N 8. P. 3801--3807

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme