Вышедшие номера
О механизме образования туннельных Al--O- центров в кварце по данным ЭПР
Брик А.Б.1, Дегода В.Я.1, Маразуев Ю.А.1, Самойлович М.И.1, Щербина О.И.1
1Институт геохимии, минералогии и рудообразования АН Украины
Поступила в редакцию: 7 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Методом ЭПР изучены механизмы и кинетика образования Al-O- центров в кварце, которые создаются облучением кристаллов гамма-квантами. Показано, что в образцах, облученных при T=77 K, ион-компенсатор электрического заряда находится вблизи примесного AlO4 тетраэдра. Последнее препятствует туннельному движению парамагнитной дырки в пределах этого тетраэдра. Однако при повышении температуры образца до T=300 K ион-компенсатор отходит от AlO4 тетраэдра и на Al-O- центрах становится возможным наблюдение эффектов, связанных с туннелированием дырки. Экспериментально изучена кинетика процессов накопления Al-O- центров в образцах, облученных при T=300 K. Установлено, что определяющую роль в этих процессах играет соотношение количества примесных AlO4 тетраэдров и электронных ловушек, которые являются местами швартования ионов-компенсаторов.