Вышедшие номера
Статистическая динамическая теория вторичных процессов в условиях дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем
Бушуев В.А.1
1Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова
Поступила в редакцию: 15 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

В рамках статистической динамической теории рассмотрено влияние диффузно рассеянного излучения на возбуждение вторичных процессов в условиях дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с однородно нарушенным поверхностным слоем произвольной толщины. На примере эпитаксиальной пленки с дефектами кластерного типа показано, что диффузная компонента рассеяния может заметно изменять угловое распределение фотоэлектронной эмиссии и флуоресценции по сравнению с расчетами в когерентном приближении. Исследована зависимость кривых выхода вторичных процессов от толщины приповерхностного слоя, статического фактора Дебая-Валлера, радиуса дефектов и величины деформации.