Исследование обратимых изменений зон на поверхности p-GaAs(Cs, O) при комнатной температуре методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Альперович В.Л.1,2, Кузаев В.Н.1,2, Терехов А.С.1,2, Шевелев С.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 6 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) изучена эволюция изгиба зон на поверхности p-GaAs(100) при адсорбции цезия и кислорода при комнатной температуре. Обнаруженные обратимые изменения величины изгиба зон свидетельствуют об отсутствии закрепления уровня Ферми состояниями дефектов.
- Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R., Su C.Y., Lindau I. J. Vac. Sci. Technol. 1979. V. 16. N 5. P. 1422--1432
- Spicer W.E., Kendelewicz T., Newman N., Cao R., McCants C., Miyano K., Lindau I., Liliental-Weber Z., Weber E.R. Appl. Surf. Sci. 1988. V. 33/34. P. 1009--1029
- Hasegawa H., Ohno H. J. Vac. Sci. Technol. B. 1986. V. 4. N 4. P. 1130--1138
- Monch W. Rep. Prog. Phys. 1990. V. 53. P. 221--278
- Freeouf J.L., Woodall J.M., Brillson L.J., Viturro R.E. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 1. P. 69--71
- Laubschat C., Prietsch M., Domke M., Weschke E., Remmers G., Mandel T., Ortega J.E., Kaindl G. Phys. Rev. Lett. 1989. V. 62. N 11. P. 1306--1309
- Cao R., Miyano K., Kendelewicz T., Lindau I., Spicer W.E. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 13. P. 1250--1252; Physica Scripta. 1990. V. 41. N 6. P. 887--891
- Monch W. Europhys. Lett. 1988. V. 7. N 3. P. 275--279
- Klepeis J.E., Harrison W.A. J. Vac. Sci. Technol. B. 1989. V. 7. N 4. P. 964--970
- Альперович В.Л., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С. Письма в ЖЭТФ. 1992. Т. 55. N 5. С. 289--292
- Vasquez R.P., Lewis B.F., Grunthaner F.J. Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43.N 3. P. 293--295
- Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И., Терехов А.С., Окорокова Л.Г. Поверхность. 1989. N 4. С. 147--150
- Галицын Ю.Г., Пошевнев В.И., Мансуров В.Г., Терехов А.С. ПТЭ. 1988. N 4. С. 191--192
- Alperovich V.L., Bolkhovityanov Yu.B., Paulish A.G., Terekhov A.S. Nucl. Inst. Meth. A. 1994. V. 340. N 4. P. 429--435
- Van Bommel A.J., Crombeen J.E. Surf. Sci. 1974. V. 45. N 1. P. 308--313
- Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д.Бриггса и М.П.Сиха. М.: Мир, 1987. 600 с
- Rodway D.C., Allenson M.B. J. Phys. D. 1986. V. 19. N 7. P. 1353--1371
- Burt M.G., Heine V. J. Phys. C. 1978. V. 11. N 5. P. 961--968
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.