Рентгенодифракционные исследования сильнодефектных монокристаллов Bi 4Sr 4CaCu 3O z
Новомлинский Л.А.1, Нарымбетов Б.Ж.1, Зверьков С.А.1, Шехтман В.Ш.1, Буш А.А.1, Романов Б.Н.1, Иванов С.А.1, Журов В.В.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Проводятся результаты рентгенодифракционных исследований кристаллов ВТСП фазы Bi4Sr4CaCu3Oz (4413). Дифрактограммы кристаллов характеризуются смещениями дифракционных рефлексов 00l с l=9n (n=1,2,...) относительно рассчитанных положений до 0.6o по 2Theta и их заметным уширением, что свидетельствует о наличии в слоистой структуре изучаемых кристаллов большого количества дефектов упаковок. Структурная интерпретация возникновения в кристаллах 4413 дефектов упаковок типа внедрения проведена на основе выявленной возможности построения структур фаз 2201, 4413, 2212 и 2223 из упаковок слоев двух типов: полуячейки фазы 2201 (блок B) и CaCuO2-атомных плоскостей (блок D). Наблюдаемые особенности дифрактограмм указывают на то, что в качестве дефектов типа внедрения в структуре 4413 выступают блоки D. По несмещенным 00l рефлексам с l=9n рассчитан средний c-параметр решетки < c>. Величины отклонения рефлексов от расчетных значений охарактеризованы введением параметра разброса sigma (в координатах обратного пространства). Измерения температурных зависимостей магнитной восприимчивости показывают, что наличие дефектов упаковок не разрушает сверхпроводящее состояние в фазе 4413; более того, с увеличением внедренных блоков D наблюдается тенденция к улучшению их сверхпроводящих свойств.
- Michel C., Hervieu M., Borel M.M., Grandin A., Deslandes F., Provost J., Bareau B. Z. Phys. B. 1987. V. 68. P. 421--423
- Maeda H., Tanaka Y., Fukutomi M., Asano T. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. N 2. P. L209--L210
- Bush A.A., Dubenko I.S., Evtikhiev N.N. Prog. High Temp. Supercond. 1991. V. 32. P. 732--741
- Gao Y., Lee P., Coppens P., Subramanian M.A., Sleight A.W. Science. 1988. V. 241. P. 954--956
- Shepelev Yu.F., Levin A.A., Smolin Yu.I., Bush A.A., Romanov B.N. Physica C. 1993. V. 215. P. 371--374
- Petricek Y., Gao Y., Coppens P. Phys. Rev. B. 1990. V. 42. P. 387--392
- Kawaguchi K., Sasaki S., Mukaida H., Nakao M. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. N 6. P. L1015--L1017
- Matsui Y., Maeda H., Tanaka Y., Horiuchi S. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. N 3. P. L372--L375
- Eibl O. Solid State Commun. 1989. V. 69. N 5. P. 509--512
- Novomlinsky L.A., Narymbetov B.Zh., Shekhtman V.Sh. Physica C. 1993. V. 204. P. 322--324
- Буш А.А., Романов Б.Н., Исаков И.В., Сарин И.А., Иванов С.А., Журов В.В. СФХТ. 1992. Т. 5. N 2. С. 364--371
- Eibl O. Physica C. 1989. V. 168. P. 249--256
- Budin H., Eibl O., Pongratz P., Scalicky P. Physica C. 1993. V. 207. P. 208--224
- Matsui Y., Takekawa Sh., Horiuchi S., Shoda K., Umezono A., Nakamura S., Tsuruta Ch. J. Electron Microsc. 1990. V. 39. P. 223--230
- Tarascon J.M., McKinnon W.R., Barboux P., Hwang D.M., Bagley B.G., Greene L.H., Hull G.W., LePage Y., Stoffel N., Giroud M. Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 13. P. 8885--8892
- Onoda M., Takekawa Sh., Hozaki H., Umezono A., Takayama-Muromachi E. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. N 9. P. L1665--L1668
- Буш А.А. СФХТ. 1990. Т. 3. N 9. С. 2026--2030
- Буш А.А., Дубенко И.С., Мрост С.Э., Романов Б.Н., Титов Ю.В. СФХТ. 1990. Т. 3. N 3. С. 432--441
- Буш А.А., Гордеев С.Н., Дубенко И.С., Романов Б.Н., Титов Ю.В. СФХТ. 1991. Т. 4. N 4. С. 788--792
- Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во МГУ, 1972. Гл. 8
- Hohlwein D., Metz W. Z. Kristallogr. 1974. V. 139. P. 279--296
- Suzuki I.S., Suzuki M. J. Phys. Conden. Matter. 1991. V. 3. N 45. P. 8825--8839
- Hendricks S., Teller E. J. Chem. Phys. 1942. V. 10. P. 147--167
- Kakinoki J., Komura Y. Acta Cryst. 1965. V. 19. P. 137--147
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.