Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фоторефракция в кристаллах с нестационарным фотовольтаическим током
1Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 29 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Рассмотрено влияние нестационарных компонент фотовольтаического тока, обусловленных нестационарностью концентрации фотовольтаических центров, на фоторефрактивные свойства кристаллов LiNbO3. Получены аналитические выражения, описывающие влияние нестационарных фотовольтаических токов на кинетику записи и оптического стирания фоторефракции. Исследования фоторефракции в облученных кристаллах LiNbO3:Fe иллюстрируют влияние спадающих фотовольтаических токов, обусловленных распадом радиационно-индуцированных фотовольтаических центров, на кинетику фоторефракции. Рассмотрена возможность возникновения нестационарных фотовольтаических токов в кристаллах с многоуровневой схемой переноса заряда. На примере LiNbO3 показано, что присутствие ''вторичного'' нефотовольтаического центра может привести к значительному изменению концентрации Fe2+ при освещении за счет перезаполнения (''оптической перезарядки'') уровней, т.е. к появлению нестационарной компоненты фотовольтаического тока в начальный момент освещения. Эта компонента приведет к появлению особенностей фоторефракции (действительно, наблюдаемых в некоторых кристаллах), сходных с зависимостями, полученными в облученных кристаллах. С этих позиций обсуждается эффект влияния длительности импульса записывающего света на фоторефракцию в LiNbO3.
- Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М. (1981), 736 с. (Lines M.E., Glass A.M. Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials. Oxford, (1977)
- Волк Т.Р., Шрамченко С.А., Шувалов Л.А., Фридкин В.М. ФТТ \bf 27, \it 8, 2334 (1985)
- Volk T.R., Ivanov M.A., Meilman M.L., Rubinina N.M., Shuvalov L.A. Ferroelectrics \bf 68, 325 (1986)
- Brody D., Kagan D., Raguin D., Psaltis D. Proc of Top. Meet. on Photorefr. Mater., Effects and Devices 2. Assoix (1990). P. 101
- Valley G.C. Appl. Opt. 22, 20, 3160 (1983)
- Brost G.A., Motes R.A., Rotge J.R. JOSA B \bf 5, \it 9, 1879 (1988)
- Holtmann L. Phys. Stat. Sol (a) 113, K89 (1989)
- Кухтарев Н.В. Письма в ЖТФ 2, 438 (1976)
- E. Kraetzig E., Orlowski R. Ferroelectrics \bf 27, 241 (1980)
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках. М. (1963). 496 с
- Amodei J.J. RCA Rev. 32, 185 (1971)
- Волк Т.Р., Шрамченко С.А., Шувалов Л.А. ФТТ \bf 26, \it 12, 3548 (1984)
- Волк Т.Р., Иванов М.А., Мейльман М.Л., Рубинина Н.М. ФТТ \bf 29, \it 8, 871 (1987)
- Волк Т.Р., Рубинина Н.М. ФТТ \bf 33, \it 4, 1192 (1991)
- Glass A.M., Peterson G.E., Negran T.J. N.B.S. Spec. Publication N 372 on Laser Induced Damage in Optical Materials, Boulder CO (1972), P. 15--26
- Staebler D.L., Phillips E. Appl. Opt. \bf 13, 788 (1974)
- Cudney R.S., Pierce R.M., Bacher G.D., Feinberg J. JOSA B \bf 9, \it 9, 1704 (1992)
- Канаев И.Ф., Малиновский В.К., Пугачев А.М. ФТТ \bf 27, \it 6, 1772 (1985)
- Che-Tsung Chen, Dae. M. Kim, von der Linde D. Appl. Phys. Lett. \bf 34, 321 (1979)
- Jermann F., Kraetzig E. Appl. Phys. A55, 114 (1992)
- Orlovski R., Kraetzig E. Solid State Commun. \bf 27, 1351 (1978)
- Ye Ming, Kraetzig E., Orlovski R. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 92, 221 (1985)
- Jermann F., Otten J. JOSA B 10, 2085 (1993)
- Volk T.R., Rubinina N.M., Woehlecke M. JOSA B \bf 11, \it 9 (1994)
- Abrahams S.C., Marsh P. Acta Cryst. B42, 61 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
