Изучены излучательный и безызлучательный распады электронных возбуждений с рождением радиационных дефектов при T=4.2 K в NaF. Обнаруженное излучение в NaF с максимумом 3.8 eV хорошо возбуждается в области 9.5 и 7.3 eV и не подвергается тепловому тушению в интервале температур от 4.2 до 300 K. Это свечение, вероятно, соответствует излучательному переходу электронов в диполях O^2-v⁺_a, которые внедряются в кристалл, как и ионы гидроксила OH^-, во время выращивания NaF в атмосфере по методу Киропулоса. Обсуждены возможные ''внутрицентровые'' электронные переходы из p-состояний в различные возбужденные состояния диполя O^2-v⁺_a.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.