Эффект памяти формы в гексагональных манганитах RMnO 3 (R--Ho, Y)
Каспер Н.В.1, Акимов А.И.1, Близнюк Л.А.1, Троянчук И.О.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси, Минск
Поступила в редакцию: 15 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
- Yakel H.L., Koehler W.C., Bertaut E.F., Forrat E.F. Acta Cryst. \bf 13, \it 12, 1015 (1960)
- Исмаилзаде И.Г., Кижаев С,А. ФТТ 7, 1, 298 (1965)
- Lukaszewicz K., Karut-Kalicinska J. Ferroelectrics \bf 7, \it 1/4, 81 (1974)
- Coeure P.H., Guinet P., Peuzin J.C., Buisson G., Betaut E.F. Proc. Int. Meet. Ferroelectr. Prague (1966), V. 1. P. 332
- Lesniewska B., Bombik A., Oles A., Sicora W. Proc. 11th Conf. Appl. Crystallogr. \bf 2, 571 (1984)
- Lesniewska B., Oles A. Rap-Inst. Fiz. Tech. Jad AGH JNT 171/PS, 77 P. (1982)
- Лихачев В.А., Кузьмин С.Л., Каменцева З.П. Эффект памяти формы. Л. (1987), 216 с
- Бойко В.С., Гарбер Р.И., Косевич А.М. Обратимая пластичность кристаллов. М. (1991), 280 с
- Patricio E. Reyes-Morel, Jyn-Shiarn Cherng, I.-Wei Chen J. Am. Cer. Soc. \bf 71, \it 8, 648 (1988)
- Schmid C., Meriani S. Ceram. Inf. \bf 26, \it 300, 159 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук