Особенности кристаллизации поликристаллических тонких пленок PZT, сформированных на подложке Si/SiO2/Pt
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Сенкевич С.В.1, Климов В.А.1, Зайцева Н.В.1, Шаплыгина Т.А.1, Пронин В.П.2, Кукушкин С.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Petrovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Изучены особенности кристаллизации тонких пленок цирконата-титаната свинца, осажденных на подложку Si/SiO2/Pt методом ВЧ-магнетронного распыления при низкой температуре и отожженных при температуре 540-580oC. В этом интервале температур последовательно наблюдаются два фазовых перехода первого рода: низкотемпературная фаза пирохлора-фаза перовскита I и фаза перовскита I-фаза перовскита II, сопровождающихся усадкой (уменьшением объема пленки). Фазовые превращения были исследованы при помощи атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии, рентгенодифракционного анализа и метода визуального (оптического) наблюдения роста островков новой фазы. Обнаружено, что диэлектрические параметры при переходе от фазы I к фазе II претерпевают существенные изменения. Обсуждаются причины наблюдаемых эффектов. Работа выполнена при поддержке РФФИ N 08-02-01352a, 07-08-00542-a, НШ-2628.2008.2, МНТЦ N 3743 и программы РАН "Фундаментальные проблемы механики взаимодействия в технических и природных системах, материалах и средах".
- D.L. Polla. Microelectron. Eng. 29, 51 (1995)
- S. Trolier-McKinstry, P. Muralt. J. Electroceram. 12, 1--2, 7 (2004)
- N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N.Y. Park, G.B. Stephensen, I. Stolitchnov, A.K. Tagantsev, D.V. Taylor, T. Yamada, S. Streifer. J. Appl. Phys. 100, 051 606 (2006)
- M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. 26, 550 (1987)
- M. Klee, A.De. Veirman, D.J. Taylor, P.K. Larsen. Integrated Ferroelectrics 4, 197 (1994)
- K. Yamakawa, O. Arisumi, K. Okuwada, K. Tsutsumi, T. Katata. Proc. of Eleventh IEEE Int. Symp. on applications of ferroelectrics. Montreux, Switzerland (1998). P. 159
- Z.-J. Wang, R. Maeda, K. Kikuchi. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5342 (1999)
- В.П. Афанасьев, Г.Н. Мосина, А.А. Петров, И.П. Пронин, Л.М. Сорокин, Е.А. Тараканов. Письма в ЖТФ 27, 11, 56 (2001)
- K.F. Etzold, R.A. Roy, K.L. Saenger, J.J. Cuomo. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 200, 297 (1990)
- K. Iijima, I. Ueda, K. Kugimiya. Jpn. J. Appl. Phys. 30 (Pt I), 9B, 2149 (1991)
- T. Ogawa, A. Senda, T. Kasanami. Jpn. J. Appl. Phys. 30 (Pt I), 9B, 2145 (1991)
- S.B. Krupanidhi. Integrated Ferroelectrics 1, 160 (1992)
- В.П. Афанасьев, С.В. Богачев, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.А. Петров, И.П. Пронин. ЖТФ 66, 160 (1996)
- Z.-T. Song, W. Ren, L.-Y. Zhang, X. Yao, Ch. Lin. Thin Solid Films 353, 25 (1999)
- K.K. Uprety, L.E. Ocola, O.J. Auciello. J. Appl. Phys. 102, 084 107 (2007)
- И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, В.П. Афанасьев, Г.П. Крамар. Материалы Междунар. науч. конф. "Пленки-2005". МИРЭА, М. (2005). Ч. 1. С. 29
- Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе. Пьезоэлектрическая керамика. Мир, М. (1974). 288 с
- И.П. Пронин, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, В.П. Афанасьев. Изв. РАН. Сер. физ. 61, 379 (1997)
- В.Н. Децик, Е.Ю. Каптелов, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, И.П. Пронин. ФТТ 39, 122 (1997)
- C.K. Kwok, S.B. Desu. J. Mater. Res. 9, 7, 1728 (1994)
- K.D. Preston, G.H. Haertling. Integrated Ferroelectrics 1, 89 (1992)
- M. Klee, R. Eusemann, R. Waser, W. Brand, H. van Hal. J. Appl. Phys. 72, 1566 (1992)
- K.A. Vorotilov, M.I. Yanovskaya, O.A. Dorokhova. Integrated Ferroelectrics 3, 33 (1993)
- О.Е. Квятковский. Частное сообщение
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.