Вышедшие номера
Эффекты уширения уровней и перегрева электронов в туннельных структурах на металлических кластерах
Бабич А.В.1, Погосов В.В.1
1Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина
Email: vpogosov@zntu.edu.ua
Поступила в редакцию: 4 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Исследовано влияние уширения уровней и перегрева электронной подсистемы золотых кластеров-островков дискообразной и сферической формы на характер вольт-амперной характеристики трехэлектродной структуры. Предложена схема расчета уширения электронных уровней в одномерном случае прямоугольных барьеров. В двухтемпературной электрон-ионной модели металлического кластера с учетом размерной зависимости дебаевской частоты оценена кинетическая температура электронов в зависимости от напряжения смещения. При низких температурах ионов эффекты уширения и перегрева электронов приводят к исчезновению ступеней квантовой и кулоновской лестниц, т. е. к сильной сглаженности вольт-амперной характеристики даже в структурах на кластерах, состоящих из счетного числа атомов, что и наблюдается в экспериментах. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины.