Структурный резонанс прохождения электроном межкристаллической границы
Брагинский Л.С.1, Романов Д.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
Исследовано прохождение носителей заряда через границу двух метериалов с существенно различной кристаллической структурой. В рамках одномерной модели сильной связи получены условия сшивки огибающих волновых функций. В общем случае эти условия оказываются нелокальными. Показано, что прозрачность границы резонансным образом зависит от определенной комбинации параметров, характеризующих саму границу и граничащие кристаллы. Наличие на границе атома-примеси может приводить к увеличению прозрачности.
- Baskin E.M., Braginskii L.S. Phys. Rev. B, in press
- Ando T., Wakahara S., Akera H. Phys. Rev. \bf B40, 11609 (1989)
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М. (1978). С. 615
- Qi-Gao Zhu, Herbert Kroemer. Phys. Rev. \bf B27, 3519 (1983)
- Lu S.S., Natan M.I. J. Appl. Phys. 60, 525 (1991)
- Чаплик А.В., Энтин М.В. ЖЭТФ 67, 208 (1974)
- Мусатов А.Л., Коротких В.Л., Шадрин В.Д. ФТТ \bf 23, \it 3, 929 (1981); Нолле Е.Л. ФТТ \bf 31, \it 11, 225 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.