Химическая связь и реконструированные состояния примесных центров в полупроводниках
Онопко Д.Е.1, Баграев Н.Т.1, Рыскин А.И.1
1Научный центр ''ГОИ им. С.И. Вавилова'',, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
Исследуется модификация химической связи в полупроводниках, обусловленная примесью в узельной позиции. С этой целью проведен расчет электронной структуры регулярных и примесных кристаллов. Расчет выполнен в кластерном приближении с использованием самосогласованного метода рассеянных волн или его уточненного варианта. В качестве матриц использованы кристаллы Si, GaP, ZnS, рассмотрен широкий набор примесей из числа непереходных элементов, переходных и редкоземельных металлов. Анализ модификации химической связи в примесном кластере позволяет высказать предположения о возможных искажениях кристаллической структуры в области примесного центра. Эти заключения достаточно полно коррелируют с экспериментальными данными. Показано, что реконструкция примесного центра носит вероятностный характер. Вероятность ее тем больше, чем сильнее модифицирована примесью химическая связь, и увеличивается при любых внешних (по отношению к данной примеси) искажениях кристаллической структуры. Установлены два ''базовых'' типа искажения структуры полупроводника и обсуждается связь между симметрией реконструированного центра и его зарядовым состоянием. Значительное внимание уделено примесям переходных и редкоземельных металлов. В частности, рассмотрены такие свойства последних, как гетерирующее действие и склонность к комплексообразованию.
- Woodbary H.H., Ludwig G.W. Phys. Rev. \bf 126, 466 (1962)
- Watkins G.D. Physica 117B-118B, 9 (1983)
- Ammerlaan C.A.J., van Oosten A.B. Physica Scripta \bf T25, 342 (1989)
- Watkins G.D. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. N.Y. (1986). P. 87
- Smith W.V., Sorokin P.P., Gelles I. Phys. Rev. \bf 115, 1546 (1959)
- Watkins G.D., Corbett J.W. Phys. Rev. \bf 121, 1001 (1961)
- Watkins G.D. Phys. Rev. 121, 1015 (1961)
- Lannoo M. Phys. Rev. B25, 2987 (1982)
- Pantelides S.T. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T.Pantelides. N.Y. (1986). P. 1
- Bagraev N.T., Mashkov V.A. Solid State Commun. \bf 65, 1111 (1986)
- Баграев Н.Т. Изв. АН СССР. Сер. Физ. \bf 47, 2331 (1983)
- Gemma A.J. Phys. C17, 2333 (1984)
- Онопко Д.Е., Могилева Л.М. ФТТ 26, 3483 (1984)
- Онопко Д.Е. Опт. и спектр. 74, 1105 (1993)
- Johnson K.H. Adv. Quant. Chem. 7, 143 (1973)
- Онопко Д.Е. ЖСХ 28, 138 (1987)
- Онопко Д.Е., Титов С.А. ТЭХ 20, 709 (1984)
- Онопко Д.Е. Опт. и спектр. 69, 1269 (1990)
- Могилева Л.М., Онопко Д.Е. ФТП 20, 939 (1986)
- Онопко Д.Е. Опт. и спектр. 60, 441 (1986)
- Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Опт. и спектр. \bf 75, 1255 (1993)
- Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Опт. и спектр. \bf 76, 1 (1994)
- Chelikowski J.R., Chadi D.J., Cohen M.L. Phys. Rev. \bf B8, 2786 (1973)
- Chelikowski J.R., Cohen M.L. Phys. Rev. \bf B14, 556 (1976)
- Pecheur P., Kauffer E., Gerl M. Phys. Rev. \bf B14, 4521 (1976)
- Баграев Н.Т., Лебедев А.А., Мирсаатов Р.М., Половцев И.С., Юсупов А. ФТП \bf 28, \it 2, 213 (1994)
- Chang K.J., Chadi D.J. Phys. Rev. Lett. \bf 62, 937 (1988)
- Баграев Н.Т., Юсупов А. ФТП 28, 198 (1994)
- Lang D.V. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. N.Y. (1986). P. 489
- Morgan T.N. Mater. Sci. Forum 38-41, 1079 (1989)
- Pearton S.J., Stavola M., Corbett J.W. Rad. Eff. Def. Sol. \bf 111-112, 323 (1989)
- Watkins G.D. Festkorperprobleme 24, 163 (1984)
- Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Чайкина Е.И. Письма в ЖЭТФ \bf 58, 620 (1993)
- Brower K.L. Phys. Rev. B4, 1968 (1971)
- Brower K.L. Phys. Rev. B5, 4274 (1972)
- Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Опт. и спектр. \bf 75, 1009 (1993)
- Онопко Д.Е., Рыскин А.И. ФТП 27, 1361 (1993)
- Bagraev N.T. J. Phys. I (France) 2, 1907 (1992)
- Bagraev N.T. Semicond. Sci. Technol. 9, 61 (1994)
- van Oosten A.B., Son N.T., Vlasenko L.S. Mater. Sci. Forum \bf 38-41, 355 (1989)
- Allen J. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. N.Y. (1986). P. 627
- Eaves L., Englert Th., Uhlein Ch. Physics in High Magnetic Fields. Springer Series in Solid State Sciences (1981)
- Killoran N., Cavenett B.C., Hagston W.E. Solid. State. Commun. \bf 35, 333 (1980)
- Picoli G., Deveaud B., Galland D. Proc. Conf. on Semi-Insulating III--V Materials (Nottingham, 1980). Shiva. Orpington (1980). P. 254
- Picoli G., Deveaud B., Galland D.J. de Physique \bf 42, 133 (1981)
- Voillot F., Barrau J., Brousseau M. J.Phys. \bf C14, 1855 (1981)
- Barrau J., Voillot F., Brousseau M. J. Phys. \bf C14, 3447 (1981)
- Yamazoe Y., Sasai Y., Nishino T. Jap. J. Appl. Phys. \bf 20, 347 (1981)
- Demberel L.A., Popov A.S., Kushev D.B. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 52, 341 (1979)
- Won Yu.P. Solid State Commun. 34, 183 (1980)
- Kennedy T.A., Wisley N.D. Defects and Radiation Effects in Semiconductors / Ed. R.R. Hasiguti. Inst. Phys. London. (1981). Conf. Ser. 59. P. 257
- Bishop S. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. N.Y. (1986). P. 541
- Natadze A.L., Ryskin A.I., Vekhter B.G. The Dynamical Jahn--Teller Effect in Localized Systems / Ed. Yu. E. Perlin, M. Wagner. North Holland (1984). P. 347
- Vallin J.T., Slack G.A., Roberts S. Phys. Rev. \bf B2, 4313 (1970)
- Vallin J.T., Watkins G.D. Phys. Rev. \bf B9, 2051 (1974)
- Ryskin A.I., Vasilev A.V., Kremerman V.A. J.Lumin. \bf 52, 83 (1992)
- Мастеров В.Ф. ФТП 27, 1435 (1993)
- Баграев Н.Т., Власенко Л.С., Меркулов И.Н. ЖЭТФ \bf 81, 2160 (1981)
- Rare Earth Doped Semiconductors / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Mat. Res. Soc. Proc. (1993). P. 301
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
