Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1995, выпуск 8 » Статья стр. 2376
<<<>>>
Химическая связь и реконструированные состояния примесных центров в полупроводниках
Онопко Д.Е.1, Баграев Н.Т.1, Рыскин А.И.1
1Научный центр ''ГОИ им. С.И. Вавилова'',, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
PDF версия
Исследуется модификация химической связи в полупроводниках, обусловленная примесью в узельной позиции. С этой целью проведен расчет электронной структуры регулярных и примесных кристаллов. Расчет выполнен в кластерном приближении с использованием самосогласованного метода рассеянных волн или его уточненного варианта. В качестве матриц использованы кристаллы Si, GaP, ZnS, рассмотрен широкий набор примесей из числа непереходных элементов, переходных и редкоземельных металлов. Анализ модификации химической связи в примесном кластере позволяет высказать предположения о возможных искажениях кристаллической структуры в области примесного центра. Эти заключения достаточно полно коррелируют с экспериментальными данными. Показано, что реконструкция примесного центра носит вероятностный характер. Вероятность ее тем больше, чем сильнее модифицирована примесью химическая связь, и увеличивается при любых внешних (по отношению к данной примеси) искажениях кристаллической структуры. Установлены два ''базовых'' типа искажения структуры полупроводника и обсуждается связь между симметрией реконструированного центра и его зарядовым состоянием. Значительное внимание уделено примесям переходных и редкоземельных металлов. В частности, рассмотрены такие свойства последних, как гетерирующее действие и склонность к комплексообразованию.
  1. Woodbary H.H., Ludwig G.W. Phys. Rev. \bf 126, 466 (1962)
  2. Watkins G.D. Physica 117B-118B, 9 (1983)
  3. Ammerlaan C.A.J., van Oosten A.B. Physica Scripta \bf T25, 342 (1989)
  4. Watkins G.D. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. N.Y. (1986). P. 87
  5. Smith W.V., Sorokin P.P., Gelles I. Phys. Rev. \bf 115, 1546 (1959)
  6. Watkins G.D., Corbett J.W. Phys. Rev. \bf 121, 1001 (1961)
  7. Watkins G.D. Phys. Rev. 121, 1015 (1961)
  8. Lannoo M. Phys. Rev. B25, 2987 (1982)
  9. Pantelides S.T. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T.Pantelides. N.Y. (1986). P. 1
  10. Bagraev N.T., Mashkov V.A. Solid State Commun. \bf 65, 1111 (1986)
  11. Баграев Н.Т. Изв. АН СССР. Сер. Физ. \bf 47, 2331 (1983)
  12. Gemma A.J. Phys. C17, 2333 (1984)
  13. Онопко Д.Е., Могилева Л.М. ФТТ 26, 3483 (1984)
  14. Онопко Д.Е. Опт. и спектр. 74, 1105 (1993)
  15. Johnson K.H. Adv. Quant. Chem. 7, 143 (1973)
  16. Онопко Д.Е. ЖСХ 28, 138 (1987)
  17. Онопко Д.Е., Титов С.А. ТЭХ 20, 709 (1984)
  18. Онопко Д.Е. Опт. и спектр. 69, 1269 (1990)
  19. Могилева Л.М., Онопко Д.Е. ФТП 20, 939 (1986)
  20. Онопко Д.Е. Опт. и спектр. 60, 441 (1986)
  21. Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Опт. и спектр. \bf 75, 1255 (1993)
  22. Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Опт. и спектр. \bf 76, 1 (1994)
  23. Chelikowski J.R., Chadi D.J., Cohen M.L. Phys. Rev. \bf B8, 2786 (1973)
  24. Chelikowski J.R., Cohen M.L. Phys. Rev. \bf B14, 556 (1976)
  25. Pecheur P., Kauffer E., Gerl M. Phys. Rev. \bf B14, 4521 (1976)
  26. Баграев Н.Т., Лебедев А.А., Мирсаатов Р.М., Половцев И.С., Юсупов А. ФТП \bf 28, \it 2, 213 (1994)
  27. Chang K.J., Chadi D.J. Phys. Rev. Lett. \bf 62, 937 (1988)
  28. Баграев Н.Т., Юсупов А. ФТП 28, 198 (1994)
  29. Lang D.V. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. N.Y. (1986). P. 489
  30. Morgan T.N. Mater. Sci. Forum 38-41, 1079 (1989)
  31. Pearton S.J., Stavola M., Corbett J.W. Rad. Eff. Def. Sol. \bf 111-112, 323 (1989)
  32. Watkins G.D. Festkorperprobleme 24, 163 (1984)
  33. Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Чайкина Е.И. Письма в ЖЭТФ \bf 58, 620 (1993)
  34. Brower K.L. Phys. Rev. B4, 1968 (1971)
  35. Brower K.L. Phys. Rev. B5, 4274 (1972)
  36. Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Опт. и спектр. \bf 75, 1009 (1993)
  37. Онопко Д.Е., Рыскин А.И. ФТП 27, 1361 (1993)
  38. Bagraev N.T. J. Phys. I (France) 2, 1907 (1992)
  39. Bagraev N.T. Semicond. Sci. Technol. 9, 61 (1994)
  40. van Oosten A.B., Son N.T., Vlasenko L.S. Mater. Sci. Forum \bf 38-41, 355 (1989)
  41. Allen J. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. N.Y. (1986). P. 627
  42. Eaves L., Englert Th., Uhlein Ch. Physics in High Magnetic Fields. Springer Series in Solid State Sciences (1981)
  43. Killoran N., Cavenett B.C., Hagston W.E. Solid. State. Commun. \bf 35, 333 (1980)
  44. Picoli G., Deveaud B., Galland D. Proc. Conf. on Semi-Insulating III--V Materials (Nottingham, 1980). Shiva. Orpington (1980). P. 254
  45. Picoli G., Deveaud B., Galland D.J. de Physique \bf 42, 133 (1981)
  46. Voillot F., Barrau J., Brousseau M. J.Phys. \bf C14, 1855 (1981)
  47. Barrau J., Voillot F., Brousseau M. J. Phys. \bf C14, 3447 (1981)
  48. Yamazoe Y., Sasai Y., Nishino T. Jap. J. Appl. Phys. \bf 20, 347 (1981)
  49. Demberel L.A., Popov A.S., Kushev D.B. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 52, 341 (1979)
  50. Won Yu.P. Solid State Commun. 34, 183 (1980)
  51. Kennedy T.A., Wisley N.D. Defects and Radiation Effects in Semiconductors / Ed. R.R. Hasiguti. Inst. Phys. London. (1981). Conf. Ser. 59. P. 257
  52. Bishop S. Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. N.Y. (1986). P. 541
  53. Natadze A.L., Ryskin A.I., Vekhter B.G. The Dynamical Jahn--Teller Effect in Localized Systems / Ed. Yu. E. Perlin, M. Wagner. North Holland (1984). P. 347
  54. Vallin J.T., Slack G.A., Roberts S. Phys. Rev. \bf B2, 4313 (1970)
  55. Vallin J.T., Watkins G.D. Phys. Rev. \bf B9, 2051 (1974)
  56. Ryskin A.I., Vasilev A.V., Kremerman V.A. J.Lumin. \bf 52, 83 (1992)
  57. Мастеров В.Ф. ФТП 27, 1435 (1993)
  58. Баграев Н.Т., Власенко Л.С., Меркулов И.Н. ЖЭТФ \bf 81, 2160 (1981)
  59. Rare Earth Doped Semiconductors / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Mat. Res. Soc. Proc. (1993). P. 301

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme