Рентгенолюминесценция ионных кристаллов в сильных электрических полях
Куликов В.Д.1, Лисицын В.М.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 6 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
Исследовалось влияние внешнего электрического поля напряженностью ~ 2.4· 104 V/cm на свечение ионных кристаллов CaF2, KBr, NaCl. Обнаружено увеличение интенсивности экситонной люминесценции в 1.3/ 1.4 раза. Делается вывод о том, что рост синглетной и триплетной люминесценции под действием сильного электрического поля обусловлен эффектом Онзагера.
- Куликов В.Д., Лисицын В.М. Деп. в ВИНИТИ 11.10.85, рег. N 7202-B
- Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Методы модуляции и сканирования света. М. (1970). 295 с
- Williams R.T., Kabler M.N., Hayes W., Stott S.P. Phys. Rev. \bf B14, \it 2, 725 (1976)
- Воробьев А.А., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М. (1966). 224 с
- Эланго М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. М. (1988). 145 с
- Портнягин А.С., Мильман И.П., Кортов В.С. ФТТ \bf 33, \it 8, 2258 (1991)
- Портнягин А.С., Мильман И.П., Кортов В.С. ФТТ \bf 34, \it 5, 1444 (1992)
- Ikezawa M., Kojima T. J. Phys. Soc. Jap. \bf 27, \it 6, 1551 (1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.