В области температур 80-600 K исследовано краевое поглощение кристаллов Bi₁₂SiO₂₀, содержащих дефекты нестехиометрии в катионных подрешетках, а также кристаллов Bi₁₂SiO₂₀, легированных ионами Al и Ga. Показано, что при значениях коэффициента поглощения alpha>alpha_t выполняется правило Урбаха, при alpha<alpha_t имеют место непрямые переходы с участием оптических фононов. Величина alpha_t зависит от температуры. Параметры правила Урбаха закономерно изменяются при нарушении стехиометрии по соотношению Bi : Si. Выявлены особенности изоабсорбционных зависимостей и параметра sigma, характеризующего температурное изменение краевого поглощения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.