Электропроводность Pb 0.78Sn 0.22Te и Pb 1-xGexTe n-типа в сегнетоэлектрической области
Гришечкина С.П.1, Воронова И.Д.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
Измерены темновая проводимость и эффект Холла, а также концентрация и подвижность долгоживущих носителей в Pb1-xGexTe и Pb0.78Sn0.22Te. Обнаружено, что при T<Tc наблюдается резкое падение электропроводности (до sigma~ T10) с переходом к прыжковой проводимости. При T<< Tc обнаружено изменение закона нарастания фототока со временем от If~ t5/3 к If~ t, связанное с концентрационной зависимостью подвижности mu~ n2/3. Полученные закономерности интерпретируются на основе модели, предполагающей переход от зонного к прыжковому механизму электропроводности с учетом температурной зависимости диэлектрической проницаемости. Предложена модель, основанная на предположении об изменении знака энергии возбужденного состояния донорного уровня при отсчете ее от края зоны проводимости. Высказывается предположение о дипольной природе резонансного уровня и возможности возникновения аналогов квантово-размерных структур в сегнетоэлектриках-полупроводниках при T<Tc из-за многодоменности.
- Гришечкина С.П., Максимов М.Х., Шотов А.П. Краткие сообщения по физике ФИАН, \it 4, 45 (1983)
- Виноградов В.С., Воронова И.Д., Рагимова Т.Ш., Шотов А.П. ФТП \bf 15, \it 2, 361 (1981)
- Ravith Yu.I., Efimova B.A., Tamarchenko V.I. Phys. Stat. Sol. (b) \bf 43, 11 (1971)
- Шик А.Я. Письма в ЖЭТФ 20, 1, 14 (1974)
- Вул Б.М., Гришечкина С.П., Рагимова Т.Ш. ФТП \bf 21, \it 6, 1054 (1987)
- Воронова И.Д., Семенова Е.В. Краткие сообщения по физике ФИАН, \bf 7, 19 (1987)
- Засавицкий И.И., Матвеенко А.В., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. ФТП \bf 21, \it 10, 1789 (1987)
- Вул Б.М., Воронова И.Д., Гришечкина С.П., Рагимова Т.Ш. Письма в ЖЭТФ \bf 33, \it 6, 346 (1981)
- Takaoka S., Hamaguchi T., Shimomura S., Murase K. Solid State Commun \bf 54, \it 1, 99 (1985)
- Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Препринт N 13/1981. Физ. фак. МГУ. М. (1981). С. 19
- Засавицкий И.И., Матвеенко А.В., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Письма в ЖЭТФ \bf 37, \it 10, 456 (1983)
- Волков Б.А., Воронова И.Д., Шотов А.П. ДАН СССР \bf 293, 602 (1987)
- Гришечкина С.П. Тр. ФИАН 89, 59 (1976)
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М. (1963). С. 494
- Карпов В.Г., Шик А.Я., Шкловский Б.И. ФТП \bf 16, \it 8, 1406 (1982)
- Виноградов В.С., Кучеренко И.В. ФТП \bf 33, \it 9, 2572 (1991)
- Гришечкина С.П., Жоховец В.С., Шотов А.П. Краткие сообщения по физике ФИАН, \it 6, 34 (1977)
- Гришечкина С.П., Журавлев А.А., Меллманн К.-П., Херрманн К.Х. ФТП \bf 25, \it 4, 677 (1991)
- McKhight S.W., El-Rayess M.K. Solid State Commun. \bf 49, 1001 (1984)
- Фридкин В.М., Фотосегнетоэлектрики. М. (1979). С. 264
- Islam Q.T., Banker B.A. Phys. Rev. Lett. \bf 59, 2701 (1987)
- Suski T., Baj N., Katayama S., Murase K. Proc. 4th Intern. Conf. on Phys. of Narrow Gap Semicond. Linz, Austria (Sept. 14--17, 1981). P. 265--269 (Lecture Notes in Physics/\bf 152, Ed. J. Ehlers, Munchen, K. Hepp, Zurich, R. Kippenhahn, H.A. Wendenmuller, Heidelberg, and J. Zittartz, Koin. Berlin, Heidelberg, N.Y. V. 152)
- Yaraneri H., Grassie A.D.C., Loram J.W. Proc. 4th Intern. Conf. on Phys. of Narrow Gap Semicond. Linz, Austria (Sept. 14--17, 1981). P. 270--274 (Lecture Notes in Physics/Ed. J. Ehlers, Munchen, K. Hepp, Zurich, R. Kippenhahn, H.A. Wendenmuller, Heidelberg and J. Zittartz, Koin. Berlin, Heidelberg, N.Y.V. 152)
- Гришечкина С.П., Лупу А.Т. Краткие сообщения по физике ФИАН, \it 1, 22 (1988)
- Herrmann K.H., Kalyuzhnaya G.A., Mollmann K.-P., Wendt M. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 71, K21 (1982)
- Козловский В.Ф., Кацнельсон А.А., Гаськов А.М., Зломанов В.П. ДАН \bf 251, \it 5, 1162 (1980)
- Verleur H.W., Barker A.S. Phys. Rev. \bf 155, \it 3, 715 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.