Вышедшие номера
Теплопроводность моносульфида лантана, легированного тулием и лютецием
Голубков А.В.1, Касымова А.Г.1, Попов В.В.1, Смирнов И.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Измерены теплопроводность и удельное сопротивление монокристаллического LaS и поликристаллических LaS, La0.9Tm0.1S, La0.92Lu0.08S в интервале температур T=15-330 K. Электронная составляющая теплопроводности у всех образцов характеризуется аномально большим числом Лоренца (L/L0=1.7-3.1), что связывается с межзонным (s-d-типа) рассеянием электронов. Примеси Tm и Lu из-за большого отличия их радиусов от радиуса La играют роль точечных дефектов, что приводит в исследуемых образцах к одинаковому снижению величины фононной составляющей теплопроводности. Из расчета по модели Дебая проведена оценка времен релаксации фононов для основных механизмов их рассеяния, а также концентрации точечных дефектов в моно- и поликристаллических образцах LaS.