Сообщается об исследовании процессов формирования доменных структур в кристаллах танталата лития толщиной ~300mum при их облучении электронами в растровом электронном микрокопе. Были использованы последовательные дискретные квазиточечные облучения электронным лучом по поверхности -Z-срезов. Такой способ рисования электронным лучом позволил управлять величиной внедряемого заряда и исследовать влияние расстояний между условно точечными зарядами на формирумые при переключении доменные структуры. Исследовано влияние направления перемещения луча при внесении облучений на ширину доменных линий. Сформирована доменная решетка периодом в 12 mum на -z-грани кристалла с переходом в глубине кристалла к структуре 2D-типа. Работа частично поддержана грантом РФФИ N 09-02-00609a.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.