Вышедшие номера
Исследование тонких ферромагнитных пленок в структуре ферромагнетик/полупроводник методом оптической ориентации
Джиоев Р.И.1, Захарченя Б.П.1, Коренев В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Исследовано влияние ферромагнитной пленки никеля, нанесенной на поверхность n-GaAs ионным распылением, на поляризацию оптически ориентированных электронов в полупроводнике. Показано, что в структуре Ni/GaAs присутствуют два ферромагнетика: сама пленка никеля, ферромагнетизм которой проявляется в измерениях с помощью СКВИДа, а также интерфейс Ni/GaAs, магнитные свойства которого проявляются в экспериментах по оптической ориентации. Проведено исследование эффекта фотоиндуцированного изменения коэрцитивной силы интерфейса. Этот эффект обусловлен воздействием полупроводника на магнитные свойства интерфейса. Предложена физическая модель, в основе которой лежит обменное взаимодействие d-электронов ферромагнетика с электронами на глубоких центрах полупроводника в области интерфейса.