Исследован вклад в эффективную массу доменной стенки в сегнетоэлектриках, возникающий благодаря вовлечению в движение, сопровождающее ее перемещения, объема сегнетоэлектрического материала. Указанное движение вызвано пьезоэлектрическими деформациями в поле зарядов спонтанной поляризации, возникающих при перемещениях границ на поверхности сегнетоэлектрического кристалла конечных размеров. Определено влияние изменений в эффективной массе стенки на собственную частоту ее трансляционных колебаний. Эффективная масса стенки и ее собственная частота определены также для случая сегнетоэластика. Показано совпадение последней в длинноволновом пределе с резонансной частотой упругих колебаний сдвига сегнетоэластической пластины по толщине.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.