Локальные центры в кристаллах Bi 12SiO 20 нестехиометричного состава
Панченко Т.В.1, Костюк В.Х.1, Копылова С.Ю.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 5 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
Исследовано влияние дефектов нестехиометрии кристаллов Bi12SiO20 на люкс-амперные характеристики, оптическое поглощение и фоточувствительность последних в области плеча фундаментальной полосы поглощения (3.2-2.6 eV). Обсуждается роль ионов Bi3+ и Bi5+, занимающих позиции ионов Si4+, в образовании глубоких донорных уровней и r-центров медленной рекомбинации.
- Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. J. Appl. Phys. 44, \it 6, 2652 (1973)
- Lauer R.B. J. Appl. Phys. 42, 5, 2147 (1971)
- Abrachams S.C., Jamieson P.B., Bernstien J.L. J. Chem. Phys. 47, 4034 (1967)
- Елисеев А.П., Надолинный В.А., Гусев В.А. ЖСХ 23, \it 3, 181 (1982)
- Малиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Фотоиндуцированные явления в силленитах. Новосибирск (1990). 160 с
- Гудаев О.А., Детиненко В.А., Малиновский В.К. ФТТ 23, \it 1, 195 (1981)
- Grabmaier B.C., Oberschmid R. Phys. Stat. Sol. (a) 96, 199 (1986)
- Oberschmid R. Phys. Stat. Sol. (a) 89, 263 (1985)
- Каргин Ю.Ф., Марьин Ф.Ф., Скориков В.М. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 18, \it 10, 1605 (1982)
- Panchenko T.V., Truseyeva N.A., Osetsky Yu.G. Ferroelectrics 129, 113 (1982)
- Красинькова М.В., Мойжес Б.Я. ФТТ 31, 9, 81 (1989)
- Панченко Т.В., Кудзин А.Ю., Костюк В.Х. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 19, 1144 (1983)
- Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М. (1977). 366 с
- Futro A.T. J. Phys. Chem. Soc. 40, 201 (1979)
- Костюк В.Х., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. ФТТ 22, \it 8, 2454 (1980)
- Довгий Я.О., Заморский М.К., Михайлин В.В., Колобанов В.Н. Изв. вузов. Физика, \it 4, 110 (1986)
- Зенченко В.П., Синявский Э.П. ФТТ 22, \it 12, 3703 (1980)
- Альперович В.Л., Кравченко А.Ф., Терехов А.С. ФТП 9, \it 9, 1135 (1975)
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М. (1979). С. 416
- Глебовский Д.Н., Крашенинникова А.А., Бедрина М.Е., Зеликман П.И. ЖПС 35, \it 3, 513 (1981)
- Лубченко А.Ф. Квантовые переходы в примесных центрах твердых тел. Киев (1978). 293 с
- Панченко Т.В., Солодовникова И.В. УФЖ 33, \it 7, 1014 (1988)
- Ермаков М.Г., Хомич А.В., Перов П.И., Горн И.А., Куча В.В. Микроэлектроника 11, \it 5, 424 (1982)
- Захаров И.С., Петухов П.А., Скориков В.М., Кистенева М.Г., Каргин Ю.Ф. Изв. вузов. Физика, \it 6, 85 (1985)
- Камшилин А.А., Петров М.П. ФТТ 23, 1, 3110 (1981)
- Волосов А.Я., Костюк В.Х., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. ФТТ 23, \it 7, 2187 (1981)
- Карпович И.А., Колосов Е.Е., Леонов Е.И., Орлов В.М., Шилова М.В. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 21, \it 6, 965 (1985)
- Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев (1981). 264 с
- Douglas G.G., Zitter R.N. J. Appl. Phys. 39, \it 4, 2133 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
